正在处理

请稍候...

设置

设置

1. RU02125619 - SYSTEM FOR TREATMENT OF SEMICONDUCTOR ARTICLE (VERSIONS), BUILT-IN GETTER PUMP AND METHOD OF TREATMENT OF SEMICONDUCTOR ARTICLES

专利局 俄罗斯
申请号 97108596/02
申请日 30.10.1995
公布号 02125619
公布日 27.01.1999
公布类型 C1
国际专利分类
[IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid section (A=>H)!]
[IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid section (A=>H)!]
[IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid section (A=>H)!]
[IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid section (A=>H)!]
[IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid section (A=>H)!]
6C 23C
6F 04B
6H 01L
6C 01B
6 C
CPC
C23C 14/564
C23C 14/54
C23C 14/56
F04B 37/02
F04B 37/08
申请人 Saes P'jue Gaz Ink. (US)
Саес Пьюе Газ Инк. (US)
发明人 Lorimer d'Arej G. (US)
Лоример д'Арей Г. (US)
Krjuger Gordon P. (US)
Крюгер Гордон П. (US)
优先权数据 08332564 31.10.1994 US
标题
(EN) SYSTEM FOR TREATMENT OF SEMICONDUCTOR ARTICLE (VERSIONS), BUILT-IN GETTER PUMP AND METHOD OF TREATMENT OF SEMICONDUCTOR ARTICLES
(RU) СИСТЕМА ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИЗДЕЛИЯ (ВАРИАНТЫ), ВСТРОЕННЫЙ ГЕТТЕРНЫЙ НАСОС И СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИЗДЕЛИЯ
摘要
(EN)
FIELD: systems of ultrahigh vacuum for treatment of semiconductor articles, getter pumps used therein and methods of treatment of semiconductor articles. SUBSTANCE: system includes treatment chamber, low-pressure pump connected to this chamber for pumping of noble and nonnoble gases, valve mechanism connecting the source of noble gas with the chamber, built-in getter pump installed inside the chamber which pumps definite nonnoble gases during supply of noble gas to the chamber, and also mechanism for treatment of semiconductor article placed inside the treatment chamber. It is preferably to have getter pump act at a number of different temperatures for pumping of various samples of gas under these temperatures. Gas analyzer is used for automatic regulation of temperature of getter pump to regulate gas samples which are subject to pumping. The method for treatment of semiconductor article includes operations of placing the article inside the chamber of treatment and sealing of this chamber by external low-pressure pump and built-in getter pump found inside the chamber and which pumps nonnoble gases, and also operation of treatment of semiconductor article inside the chamber and concurrent supply of noble gas. The method includes also operations of tracing and regulation of gas composition inside the chamber and regulation of temperature of getter material on the basis of analysis of this composition. EFFECT: higher efficiency. 54 cl, 10 dwg

(RU)
Изобретение относится к системам ультравысокого вакуума для обработки полупроводникового изделия, к геттерным насосам, используемым в них, и к способу обработки полупроводникового изделия. Система для обработки полупроводниковых изделий, включающая камеру обработки, насос низкого давления, подсоединенный к этой камере для накачки благородных и неблагородных газов, клапанный механизм, соединяющий источник благородного газа с упомянутой камерой, встроенный геттерный насос, установленный внутри камеры, который накачивает определенные неблагородные газы во время подачи благородного газа в упомянутую камеру, а также механизм обработки для обработки полупроводникового изделия, помещенного внутри камеры обработки. Предпочтительнее, чтобы встроенный геттерный насос мог действовать при ряде разных температур для накачки различных образцов газа при этих температурах. Газоанализатор используется для автоматического регулирования температуры геттерного насоса, чтобы регулировать образцы газов, которые подлежат накачке. Способ обработки полупроводникового изделия в соответствии с настоящим изобретением включает операции помещения изделия внутри камеры обработки и герметизации этой камеры внешним насосом низкого давления и встроенным геттерным насосом, находящимся внутри камеры и который накачивает неблагородные газы, а также операцию обработки полупроводникового изделия внутри камеры с одновременной подачей благородного газа. Способ (предпочтительнее) включает также операции слежения и регулирования состава газа внутри камеры и регулирования температуры геттерного материала на основе анализа этого состава. 6 с. и 48 з.п. ф-лы, 9 ил.

其他公布号
MXPA/a/2000/010004
MXPA/a/2000/010005
MXPA/a/2000/010006