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1. (WO2019041248) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/041248 国际申请号: PCT/CN2017/099983
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 31.08.2017
国际专利分类:
H01L 29/786 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
申请人:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
发明人:
LIU, Wei; CN
代理人:
TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
优先权数据:
标题 (EN) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU, APPAREIL D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
摘要:
(EN) Provided is a thin film transistor. The thin film transistor includes a first source electrode (20) and a first drain electrode (30) spaced apart from each other; an active layer (10) on the first source electrode (20) and the first drain electrode (30), the active layer (10) having a channel part (1) between the first source electrode (20) and the first drain electrode (30), a source electrode contact part (2a) in contact with the first source electrode (20), and a drain electrode contact part (3a) in contact with the first drain electrode (30); a second source electrode (21) on a side of the source electrode contact part (2a) distal to the first source electrode (20), the second source electrode (21) being electrically connected to the first source electrode (20);and a second drain electrode (31) on a side of the drain electrode contact part (3a) distal to the first drain electrode (30), the second drain electrode (31)being electrically connected to the first drain electrode (30).
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces. Le transistor à couches minces comprend une première électrode de source (20) et une première électrode de drain (30) espacées l'une de l'autre; une couche active (10) sur la première électrode de source (20) et la première électrode de drain (30), la couche active (10) ayant une partie de canal (1) entre la première électrode de source (20) et la première électrode de drain (30), une partie de contact d'électrode de source (2a) en contact avec la première électrode de source (20), et une partie de contact d'électrode de drain (3a) en contact avec la première électrode de drain (30); une seconde électrode de source (21) sur un côté de la partie de contact d'électrode de source (2a) distal par rapport à la première électrode de source (20), la seconde électrode de source (21) étant électroconnectée à la première électrode de source (20); et une seconde électrode de drain (31) sur un côté de la partie de contact d'électrode de drain (3a) distal par rapport à la première électrode de drain (30), la seconde électrode de drain (31) étant électroconnectée à la première électrode de drain (30).
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)
也发表为:
IN201827044163CN109937484