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1. (JP2000507050)

专利局 : 日本
申请号: 52748697T 申请日: 04.12.1997
公布号: 2000507050 公布日: 06.06.2000
公布类型: A
专利合作条约参考号: 申请号:WOIB9701529;公布号: 单击查看数据
国际专利分类:
H01L 29/786
H01L 21/336
H01L 29/45
H01L 29/49
G02F 1/1368
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
334
制造单极型器件的台阶式工艺
335
场效应晶体管
336
带有绝缘栅的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
40
按其电极特征区分的
43
以形成材料为特征的
45
欧姆电极
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
40
按其电极特征区分的
43
以形成材料为特征的
49
金属绝缘体半导体电极
G PHYSICS
02
光学
F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
1
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
13
基于液晶的,例如单位液晶显示单元
133
构造上的设备;液晶单元的工作;电路装置
136
结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元,例如形成集成电路部分的液晶单元
1362
有源矩阵寻址单元
1368
其中开关元件为三电极装置
CPC:
H01L 29/458
G02F 1/1368
H01L 29/4908
H01L 29/66757
申请人:
发明人:
优先权数据: 9626344 19.12.1996 GB
IB9701529 04.12.1997 WO
标题:
摘要: front page image
也发表为:
EP0904601KR1019990087078WO/1998/027583