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1. EP0789788 - IN SITU GETTER PUMP SYSTEM AND METHOD

专利局 欧洲专利局 (EPO)
申请号 95939686
申请日 30.10.1995
公布号 0789788
公布日 20.08.1997
公布类型 B1
国际专利分类
C 化学;冶金
01
、C07、C08 无机、有机或有机高分子化合物;其制备或分离的方法
B
非金属元素;其化合物
23
惰性气体;其化合物
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
56
连续镀覆的专用设备;维持真空的装置,例如真空锁定器
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
54
镀覆工艺的控制或调节(一般控制或调节入G05)
F 机械工程;照明;加热;武器;爆破
04
B
液体变容式机械;泵
37
专门适用于弹性流体的并且其相关特征不包含在F04B 25/00至F04B 35/00组中或与上述各组无关的泵
02
通过吸收或吸附而抽出
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
56
连续镀覆的专用设备;维持真空的装置,例如真空锁定器
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
F 机械工程;照明;加热;武器;爆破
04
B
液体变容式机械;泵
37
专门适用于弹性流体的并且其相关特征不包含在F04B 25/00至F04B 35/00组中或与上述各组无关的泵
02
通过吸收或吸附而抽出
F 机械工程;照明;加热;武器;爆破
04
B
液体变容式机械;泵
37
专门适用于弹性流体的并且其相关特征不包含在F04B 25/00至F04B 35/00组中或与上述各组无关的泵
06
用热力法抽出
08
用冷凝或冷冻,如低温泵
F 机械工程;照明;加热;武器;爆破
04
B
液体变容式机械;泵
37
专门适用于弹性流体的并且其相关特征不包含在F04B 25/00至F04B 35/00组中或与上述各组无关的泵
10
用于特殊用途
14
获得高真空
16
消除死区的装置
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
20
半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长
C 01B
C 23C
C23C 14/54
F 04B
C23C 14/56
H 01L
CPC
C23C 14/564
C23C 14/54
C23C 14/56
F04B 37/02
F04B 37/08
申请人 SAES PURE GAS INC
发明人 LORIMER D ARCY H
KRUEGER GORDON P
优先权数据 08332564 31.10.1994 US
9514154 30.10.1995 US
标题
(DE) IN-SITU GETTERPUMPENSYSTEM UNB -VERFAHREN
(EN) IN SITU GETTER PUMP SYSTEM AND METHOD
(FR) PROCEDE ET SYSTEME DE POMPE GETTER IN SITU
摘要
(EN)
A wafer processing system including a processing chamber, a low pressure pump coupled to the processing chamber for pumping noble and non-noble gases, a valve mechanism coupling a source of noble gas to the processing chamber, an in situ getter pump disposed within the processing chamber which pumps certain non-noble gases during the flow of the noble gas into the chamber, and a processing mechanism for processing a wafer disposed within the processing chamber. Preferably, the in situ getter pump can be operated at a number of different temperatures to preferentially pump different species of gas at those temperatures. A gas analyzer is used to automatically control the temperature of the getter pump to control the species of gases that are pumped from the chamber. A method for processing a wafer of the present invention includes the steps of placing a wafer within a processing chamber and sealing the chamber, flowing a noble gas into the chamber while simultaneously pumping the chamber with an external low pressure pump and with an in situ getter pump disposed within the chamber which pumps non-noble gases, and processing the wafer within the chamber while the noble gas continues to flow. The method also preferably includes the steps of monitoring the composition of the gas within the chamber and controlling the temperature of the getter material based upon the analysis of the composition.

(FR)
Un système de traitement de tranches de semi-conducteurs comprend une chambre de traitement, une pompe basse pression couplée à la chambre de traitement et servant à pomper les gaz nobles et non nobles, un mécanisme à vanne couplant une source de gaz noble à la chambre de traitement, une pompe getter in situ placée à l'intérieur de la chambre de traitement, qui pompe certains gaz non nobles lors de l'écoulement du gaz noble dans cette chambre, et un mécanisme de traitement destiné à traiter une tranche placée à l'intérieur de la chambre de traitement. La pompe getter in situ peut être actionnée de préférence à différentes températures afin de pomper de préférence différentes qualités de gaz à ces températures. Un analyseur de gaz est utilisé pour réguler automatiquement la température de la pompe getter et contrôler les qualités des gaz qui sont pompées dans la chambre. Le procédé de traitement d'une tranche de la présente invention consiste à placer une tranche à l'intérieur d'une chambre de traitement et à fermer hermétiquement la chambre, à provoquer l'écoulement d'un gaz noble dans la chambre tout en pompant simultanément son contenu avec une pompe externe basse pression et une pompe getter in situ, placée à l'intérieur de la chambre et pompant les gaz non nobles, et à traiter la tranche se trouvant dans la chambre alors que le gaz noble continue de s'écouler. Le procédé consiste également de préférence à contrôler la composition du gaz dans la chambre et à réguler la température du getter en fonction de l'analyse de la composition.

其他公布号
MXPA/a/2000/010004
MXPA/a/2000/010005
MXPA/a/2000/010006