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1. (CN104094408) 高电流高电压GaN场效应晶体管及其制造方法
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权利要求书

1.一种场效应晶体管(FET),具有与沟道层接触的源极接点、与沟 道层接触的漏极接点、以及在沟道层之上的势垒层上的栅极接点,所 述FET包括:
在源极接点和漏极接点之间的势垒层上并且覆盖栅极接点的电 介质层;以及
在所述电介质层上的场板,所述场板连接至所述源极接点并且 延伸超过所述栅极接点和所述漏极接点之间区域,并且所述场板包含 位于所述栅极接点和所述漏极接点之间区域的倾斜侧壁。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管(FET),其中,所述栅极接点 和所述漏极接点之间的所述倾斜侧壁的横向尺度至少为1微米。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管(FET),其中,所述倾斜侧壁 以下述方式倾斜:在所述栅极接点附近处的所述倾斜侧壁比远离所述 栅极接点的所述倾斜侧壁距离所述势垒层更近。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管(FET),其中,所述倾斜侧壁 相对于所述势垒层的平面倾斜的角度近似为30度。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管(FET),其中,所述倾斜侧壁 为弯曲的。

6.如权利要求1所述的场效应晶体管(FET),其中,所述倾斜侧壁 塑造所述栅极接点和所述漏极接点之间的电场。

7.如权利要求1所述的场效应晶体管(FET),其中,所述源极接点、 所述栅极接点、所述漏极接点、以及所述场板为金属。

8.如权利要求1所述的场效应晶体管(FET),其中,所述电介质层 覆盖所述源极接点和所述栅极接点之间的第一沟槽和所述栅极接点 和所述漏极接点之间的第二沟槽。

9.如权利要求1所述的场效应晶体管(FET),其中,所述场板通过 所述电介质层与所述栅极接点和所述漏极接点绝缘。

10.一种形成用于场效应晶体管的场板的方法,该场效应晶体管具有 与沟道层接触的源极接点、与所述沟道层接触的漏极接点、以及在所 述沟道层之上的势垒层上的栅极接点,所述方法包括:
在所述源极接点和所述漏极接点之间的所述势垒层上并且在所 述栅极接点上面形成电介质层;
在所述电介质层上涂覆光刻胶;
使所述光刻胶暴露于穿过掩模板的光照以进行曝光,所述掩模 板适于为所述栅极接点和所述漏极接点之间的所述光刻胶提供逐渐 减小的光照强度;
显影并且移除被曝光的光刻胶,以在所述栅极接点和所述漏极 接点之间留下具有第一倾斜侧壁图案的光刻胶;
刻蚀所述电介质层和保留的具有所述第一倾斜侧壁图案的光刻 胶以将所述第一倾斜侧壁图案转移至所述电介质层,从而在所述栅极 接点和所述漏极接点之间的所述电介质层上生成第二倾斜侧壁图案; 以及
在所述电介质层上沉积金属以形成连接至所述源极接点并且具 有处在所述栅极接点和所述漏极接点之间的第三倾斜侧壁的场板。

11.如权利要求10所述的方法,其中,所述栅极接点和所述漏极接点 之间的所述第三倾斜侧壁的横向尺度至少为1微米。

12.如权利要求10所述的方法,其中,所述第三倾斜侧壁以下述方式 倾斜:在所述栅极接点附近处的所述第三倾斜侧壁比远离所述栅极接 点的所述第三倾斜侧壁距离所述势垒层更近。

13.如权利要求10所述的方法,其中,所述第三倾斜侧壁相对于所述 势垒层的平面倾斜的角度近似为30度。

14.如权利要求10所述的方法,其中,所述第三倾斜侧壁为弯曲的。

15.如权利要求10所述的方法,其中,所述第三倾斜侧壁塑造所述栅 极接点和所述漏极接点之间的电场。

16.如权利要求10所述的方法,其中,所述源极接点、所述栅极接点、 所述漏极接点、以及所述场板为金属。

17.如权利要求10所述的方法,其中,所述刻蚀包括等离子体干法刻 蚀、湿法刻蚀、或等离子体干法刻蚀和湿法刻蚀的组合。

18.如权利要求10所述的方法,其中,所述掩模板包括灰度掩模板。

19.如权利要求10所述的方法,其中,所述掩模板中的一部分遮盖光 照使得光照强度在所述栅极接点和所述漏极接点之间线性变化。

20.如权利要求10所述的方法,其中,所述场板通过所述电介质层与 所述栅极接点和所述漏极接点绝缘。