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1. (CN104094408) 高电流高电压GaN场效应晶体管及其制造方法

专利局 : 中国
申请号: 201280059254.X 申请日: 15.05.2012
公布号: 104094408 公布日: 08.10.2014
公布类型: A
专利合作条约参考号: 申请号:PCTUS2012038013;公布号: 单击查看数据
国际专利分类:
H01L 29/778
H01L 21/335
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
778
带有二维载流子气沟道的,如HEMT
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
334
制造单极型器件的台阶式工艺
335
场效应晶体管
申请人:
发明人:
优先权数据: 13/312,406 06.12.2011 US
标题: (EN) High current high voltage GaN field effect transistors and method of fabricating same
(ZH) 高电流高电压GaN场效应晶体管及其制造方法
摘要: front page image
(EN) A field effect transistor (FET) having a source contact to a channel layer, a drain contact to the channel layer, and a gate contact on a barrier layer over the channel layer. The (FET) includes a dielectric layer on the barrier layer between the source contact and the drain contact and over the gate contact, and a field plate on the dielectric layer. The field plate is connected to the source contact and extends over a space between the gate contact and the drain contact. The field plate comprises a sloped sidewall in the space between the gate contact and the drain contact.
(ZH)

一种场效应晶体管(FET)具有与沟道层接触的源极接点、与沟道层接触的漏极接点、以及在沟道层之上的势垒层上的栅极接点,该FET包括:在源极接点和漏极接点之间的势垒层上并且覆盖栅极接点的电介质层;以及在电介质层上的场板,该场板连接至源极接点并且延伸超过栅极接点和漏极接点之间区域,并且该场板包含位于栅极接点和漏极接点之间区域的倾斜侧壁。


也发表为:
EP2789013WO/2013/085566