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1. (US20130200362) Thin film transistor

专利局 : 美国
申请号: 13705151 申请日: 04.12.2012
公布号: 20130200362 公布日: 08.08.2013
授权号: 08901658 授权日: 02.12.2014
公布类型: B2
国际专利分类:
H01L 29/786
H01L 29/22
H01L 29/417
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
02
按其半导体本体的特征区分的
12
按其构成材料的特征区分的
22
除掺杂材料或其他杂质外,只包括AⅡBⅥ化合物的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
40
按其电极特征区分的
41
以其形状、相对尺寸或位置为特征的
417
通有待整流、放大或切换电流的
申请人: E Ink Holdings Inc.
发明人: Wang Henry
Yeh Chia-Chun
Tsai Xue-Hung
Shinn Ted-Hong
代理人: Jianq Chyun IP Office
优先权数据: 101104104 A 08.02.2012 TW
标题: (EN) Thin film transistor
摘要: front page image
(EN)

A thin film transistor (TFT) is provided, which includes a gate, a semiconductor layer, an insulation layer, a source and a drain. The semiconductor layer has a first end and a second end opposite to the first end. The insulation layer is disposed between the gate and the semiconductor layer. The source clamps the first end of the semiconductor layer and the drain clamps the second end of the semiconductor layer.