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1. (WO2018029419) METHOD FOR TRANSFERRING A USEFUL LAYER
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公布号: WO/2018/029419 国际申请号: PCT/FR2017/052161
公布日: 15.02.2018 国际申请日: 01.08.2017
国际专利分类:
H01L 21/762 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
71
限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造
76
组件间隔离区的制作
762
介电区
申请人:
SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 BERNIN, FR
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" 75015 PARIS, FR
发明人:
LANDRU, Didier; FR
BEN MOHAMED, Nadia; FR
KONONCHUK, Oleg; FR
MAZEN, Frédéric; FR
MASSY, Damien; FR
REBOH, Shay; FR
RIEUTORD, François; FR
代理人:
BREESE, Pierre; FR
优先权数据:
165772211.08.2016FR
标题 (EN) METHOD FOR TRANSFERRING A USEFUL LAYER
(FR) PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE UTILE
摘要:
(EN) The invention relates to a method for transferring a useful layer (3) onto a support (4), comprising steps of forming a fragilisation plane (2) by implanting light species in a first substrate (1), so as to form a useful layer (3) between this plane and a surface of the first substrate (1); applying the support (4) onto the surface of the first substrate (1) in order to form an assembly (5) to be fractured; fragilisation heat treating the assembly (5) to be fractured; and initiating and propagating a fracture wave in the first substrate (1) along the fragilisation plane (3). According to the invention, the initiation of the fracture wave is located in a central zone of the fragilisation plane (2) and the propagation speed of this wave is controlled in order to have sufficient speed. In this way, the interactions of the fracture wave with acoustic vibrations emitted during its initiation and/or its propagation are limited to a peripheral zone of the useful layer (3).
(FR) L'invention porte sur un procédé de transfert d'une couche utile (3) sur un support (4) comprenant les étapes de formation d'un plan de fragilisation (2) par implantation d'espèces légères dans un premier substrat (1), de manière à former une couche utile (3) entre ce plan et une surface du premier substrat (1); d'application du support (4) sur la surface du premier substrat (1) pour former un ensemble à fracturer (5); de traitement thermique de fragilisation de l'ensemble à fracturer (5); et d'initiation et propagation d'une onde de fracture dans le premier substrat (1) le long du plan de fragilisation (3). Selon l'invention, l'initiation de l'onde de fracture est située dans une zone centrale du plan de fragilisation (2) et la vitesse de propagation de cette onde est contrôlée pour présenter une vitesse suffisante. De la sorte, les interactions de l'onde de fracture avec des vibrations acoustiques émises lors de son initiation et/ou de sa propagation sont limitées à une zone périphérique de la couche utile (3).
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 法语 (FR)
申请语言: 法语 (FR)