FR2017052161 METHOD FOR TRANSFERRING A USEFUL LAYER

1. (WO2018029419) METHOD FOR TRANSFERRING A USEFUL LAYER

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公布号：		WO/2018/029419		国际申请号：		PCT/FR2017/052161
公布日：		15.02.2018		国际申请日：		01.08.2017

国际专利分类：

H01L 21/762 (2006.01)

申请人：

SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 BERNIN (FR).
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" 75015 PARIS (FR)

发明人：

LANDRU, Didier; (FR).
BEN MOHAMED, Nadia; (FR).
KONONCHUK, Oleg; (FR).
MAZEN, Frédéric; (FR).
MASSY, Damien; (FR).
REBOH, Shay; (FR).
RIEUTORD, François; (FR)

代理人：

BREESE, Pierre; (FR)

优先权数据：

1657722

11.08.2016

标题

(EN) METHOD FOR TRANSFERRING A USEFUL LAYER
(FR) PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE UTILE

摘要：

(EN)The invention relates to a method for transferring a useful layer (3) onto a support (4), comprising steps of forming a fragilisation plane (2) by implanting light species in a first substrate (1), so as to form a useful layer (3) between this plane and a surface of the first substrate (1); applying the support (4) onto the surface of the first substrate (1) in order to form an assembly (5) to be fractured; fragilisation heat treating the assembly (5) to be fractured; and initiating and propagating a fracture wave in the first substrate (1) along the fragilisation plane (3). According to the invention, the initiation of the fracture wave is located in a central zone of the fragilisation plane (2) and the propagation speed of this wave is controlled in order to have sufficient speed. In this way, the interactions of the fracture wave with acoustic vibrations emitted during its initiation and/or its propagation are limited to a peripheral zone of the useful layer (3).
(FR)L'invention porte sur un procédé de transfert d'une couche utile (3) sur un support (4) comprenant les étapes de formation d'un plan de fragilisation (2) par implantation d'espèces légères dans un premier substrat (1), de manière à former une couche utile (3) entre ce plan et une surface du premier substrat (1); d'application du support (4) sur la surface du premier substrat (1) pour former un ensemble à fracturer (5); de traitement thermique de fragilisation de l'ensemble à fracturer (5); et d'initiation et propagation d'une onde de fracture dans le premier substrat (1) le long du plan de fragilisation (3). Selon l'invention, l'initiation de l'onde de fracture est située dans une zone centrale du plan de fragilisation (2) et la vitesse de propagation de cette onde est contrôlée pour présenter une vitesse suffisante. De la sorte, les interactions de l'onde de fracture avec des vibrations acoustiques émises lors de son initiation et/ou de sa propagation sont limitées à une zone périphérique de la couche utile (3).

指定国：

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

公布语言：	French (FR)
申请语言：	French (FR)

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