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1. (WO2000060730) SYNCHRONOUS RECTIFIER AND METHOD OF OPERATION
国际局存档的最新著录项目数据   

Translation翻译: 原语言 --> 中文
公布号:    WO/2000/060730    国际申请号:    PCT/US2000/007613
公布日: 12.10.2000 国际申请日: 22.03.2000
第2章国际初步审查要求书已提交:    08.11.2000    
国际专利分类:
H02M 3/158 (2006.01), H02M 3/335 (2006.01), H02M 7/217 (2006.01)
申请人: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, L.L.C. [US/US]; 5005 E. McDowell Road - A230, Phoenix, AZ 85008 (US)
发明人: BALL, Alan, Richard; (US)
代理人: ATKINS, Robert, D.; Semiconductor Components Industries L.L.C., P.O.Box 62890-M/D A230, 5005 E. McDowell Road, Phoenix, AZ 85082-2890 (US)
优先权数据:
09/287,279 07.04.1999 US
标题 (EN) SYNCHRONOUS RECTIFIER AND METHOD OF OPERATION
(FR) REDRESSEUR SYNCHRONE ET PROCEDE DE FONCTIONNEMENT
摘要: front page image
(EN)A synchronous rectifier circuit (10) includes a polarity comparator (14) that generates a signal to a driver circuit (16) for controlling the voltage at the gate of a power MOSFET (60). The power MOSFET (60) is switched to operate in the conduction mode and short out a parasitic diode (62) when the diode is forward biased. The power MOSFET (60) is switched to operate in the nonconduction mode when the parasitic diode (62) is reverse biased. A bias supply circuit (12) uses a capacitor (70) to generate a regulated internal bias that provides power to the polarity comparator (14) and to the driver circuit (16). The internal bias allows the powerMOSFET (60) to provide a current conduction that is substantially isolated from the changes in voltage levels at the terminals (64, 66) of the synchronous recifier circuit (10).
(FR)L'invention concerne un circuit de redressement synchrone (10) comprenant un comparateur de polarité (14) qui génère un signal vers un circuit d'attaque (16) destiné à réguler la tension au niveau de la barrière d'un transistor à effet de champ à oxydes métalliques de courant (60). Ce dernier (60) est commuté pour fonctionner en mode de conduction et court-circuiter une diode parasite (62), lorsque la diode est polarisée en direct. Le transistor à effet de champ à oxydes métalliques de courant (60) est commuté pour fonctionner en mode de non conduction, lorsque la diode parasite (62) est polarisée en inverse. Un circuit d'alimentation polarisé (12) utilise un condensateur (70) pour générer une polarisation interne régulée, qui produit du courant au comparateur de polarité (14) et au circuit d'attaque (16). La polarisation interne permet au transistor à effet de champ à oxydes métalliques de courant (60) de fournir un courant de conduction qui est pratiquement isolé des changements de niveaux de tension aux terminaux (64, 66) du circuit de redressement synchrone (10).
指定国: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
公布语言: English (EN)
申请语言: English (EN)