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1. (WO2016033836) 氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构

Pub. No.:    WO/2016/033836    International Application No.:    PCT/CN2014/086880
Publication Date: Fri Mar 11 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Sat Sep 20 01:59:59 CEST 2014
IPC: H01L 29/786
H01L 27/12
H01L 21/77
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD.
深圳市华星光电技术有限公司
Inventors: LI, Wenhui
李文辉
Title: 氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构
Abstract:
一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构,通过采用氧化物导体层(5)来定义氧化物半导体TFT基板的沟道(51),由于该氧化物导体层(5)较薄,与现有技术相比,所述沟道(51)的宽度可以制作得较小,并且沟道(51)宽度可以得到准确控制,因此降低了氧化物半导体TFT基板的制程难度,提升了氧化物半导体TFT基板的性能,提高生产良率。在制得的氧化物半导体TFT基板结构中,由于氧化物导体层(5)与氧化物半导体层(6)结构组成类似,因此可形成良好的欧姆接触;氧化物导体层(5)不会给氧化物半导体层(6)造成金属离子污染;由于氧化物导体层(5)是透明的,因此可提高开口率。