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1. (WO2016033836) 氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构
国际局存档的最新著录项目数据   

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公布号:    WO/2016/033836    国际申请号:    PCT/CN2014/086880
公布日: 10.03.2016 国际申请日: 19.09.2014
国际专利分类:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
申请人: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
发明人: LI, Wenhui; (CN)
代理人: COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District, Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
优先权数据:
201410445154.1 02.09.2014 CN
标题 (EN) MANUFACTURING METHOD AND STRUCTURE OF OXIDE SEMICONDUCTOR TFT SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION ET STRUCTURE DE SUBSTRAT TFT À L'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构
摘要: front page image
(EN)A manufacturing method and structure of an oxide semiconductor TFT substrate. An oxide conductor layer (5) is used to define a channel (51) of the oxide semiconductor TFT substrate, and since the oxide conductor layer (5) is relatively thin, in comparison with the prior art, the width of the channel (51) may be made smaller, and the width of the channel (51) may be accurately controlled. Therefore, the difficulty of the manufacturing process of the oxide semiconductor TFT substrate is reduced, the performance of the oxide semiconductor TFT substrate is improved, and the production yield is increased. In the structure of the manufactured oxide semiconductor TFT substrate, since the oxide conductor layer (5) is similar to an oxide semiconductor layer (6) in terms of structural composition, a good ohmic contact may be formed. The oxide conductor layer (5) does not cause metal ion pollution with regard to the oxide semiconductor layer (6), and since the oxide conductor layer (5) is transparent, the aperture ratio may be increased.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication et une structure d'un substrat de transistor à couches minces (TFT) à l'oxyde semi-conducteur. Une couche conductrice en oxyde (5) est utilisée pour délimiter un canal (51) du substrat TFT à l'oxyde semi-conducteur, et étant donné que la couche conductrice en oxyde (5) est relativement mince, par comparaison à l'état de la technique, la largeur du canal (51) peut être rendue plus petite, et la largeur du canal (51) peut être commandée avec précision. Par conséquent, la difficulté du processus de fabrication du substrat TFT à l'oxyde semi-conducteur est réduite, les performances du substrat TFT à l'oxyde semi-conducteur sont améliorées, et le rendement de production est accru. Dans la structure du substrat TFT à l'oxyde semi-conducteur fabriqué, étant donné que la couche conductrice en oxyde (5) est similaire à une couche d'oxyde semi-conducteur (6) en termes de composition structurelle, un bon contact ohmique peut être formé. La couche conductrice en oxyde (5) ne provoque pas de pollution par ions métalliques en ce qui concerne la couche d'oxyde semi-conducteur (6), et étant donné que la couche conductrice en oxyde (5) est transparente, le rapport d'ouverture peut être augmenté.
(ZH)一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构,通过采用氧化物导体层(5)来定义氧化物半导体TFT基板的沟道(51),由于该氧化物导体层(5)较薄,与现有技术相比,所述沟道(51)的宽度可以制作得较小,并且沟道(51)宽度可以得到准确控制,因此降低了氧化物半导体TFT基板的制程难度,提升了氧化物半导体TFT基板的性能,提高生产良率。在制得的氧化物半导体TFT基板结构中,由于氧化物导体层(5)与氧化物半导体层(6)结构组成类似,因此可形成良好的欧姆接触;氧化物导体层(5)不会给氧化物半导体层(6)造成金属离子污染;由于氧化物导体层(5)是透明的,因此可提高开口率。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
公布语言: Chinese (ZH)
申请语言: Chinese (ZH)