Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (US20110318857) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Ведомство : Соединенные Штаты Америки
Номер заявки: 13219118 Дата заявки: 26.08.2011
Номер публикации: 20110318857 Дата публикации: 29.12.2011
Номер предоставленного патента: 09343622 Дата выдачи патента: 17.05.2016
Вид публикации: B2
МПК:
H01L 33/12
H01L 33/00
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
02
характеризующиеся полупроводниковыми телами
12
со структурой с релаксацией напряжений, например буферный слой
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
Заявители: Suk Hun Lee
LG INNOTEK CO., LTD.
Изобретатели: Suk Hun Lee
Агенты: Saliwanchik, Lloyd & Eisenschenk
Дата приоритета: 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
Название: (EN) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
Реферат: front page image
(EN)

Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.


Также опубликовано как:
EP1829122JP2008526012US20080142781CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374