Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (EP1935027) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Ведомство : Европейское патентное ведомство (ЕПВ)
Номер заявки: 06798504 Дата заявки: 03.10.2006
Номер публикации: 1935027 Дата публикации: 25.06.2008
Вид публикации: B1
Указанные государства: DE,FI,FR,GB,NL
Справочный номер PCT: Номер заявки:JP2006320154 ; Номер публикации: Нажать здесь, чтобы просмотреть данные
МПК:
H01L 29/786
H01L 51/00
H01L 51/10
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
786
тонкопленочные транзисторы
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
51
Приборы на твердом теле с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства, специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
51
Приборы на твердом теле с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства, специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей
05
специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером
10
конструктивные элементы приборов
CPC:
H01L 29/7869
H01L 29/41733
H01L 51/0097
H01L 51/105
H01L 2251/5338
Y02E 10/549
Y02P 70/521
Заявители: SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
Изобретатели: HONDA TATSUYA
Дата приоритета: 2005300825 14.10.2005 JP
2006320154 03.10.2006 JP
Название: (DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Реферат: front page image
(EN) An object is to obtain a semiconductor device with improved characteristics by reducing contact resistance of a semiconductor film with electrodes or wirings, and improving coverage of the semiconductor film and the electrodes or wirings. The present invention relates to a semiconductor device including a gate electrode over a substrate, a gate insulating film over the gate electrode, a first source or drain electrode over the gate insulating film, an island-shaped semiconductor film over the first source or drain electrode, and a second source or drain electrode over the island-shaped semiconductor film and the first source or drain electrode. Further, the second source or drain electrode is in contact with the first source or drain electrode, and the island-shaped semiconductor film is sandwiched between the first source or drain electrode and the second source or drain electrode. Moreover, the present invention relates to a manufacturing method of the semiconductor device.
(FR) La présente invention concerne un objet pour obtenir un dispositif à semi-conducteurs avec des caractéristiques améliorées en réduisant la résistance de contact d'un film à semi-conducteurs avec des électrodes ou des câblages et en améliorant la couverture du film à semi-conducteurs et les électrodes ou les câblages. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une électrode de grille sur un substrat, un film d'isolation de grille sur l'électrode de grille, une première électrode source ou drain sur le film d'isolation de grille, un film à semi-conducteurs en forme d'îlot sur la première électrode source ou drain, et une seconde électrode source ou drain sur le film à semi-conducteurs en forme d'îlot et la première électrode source ou drain. De plus, la seconde électrode source ou drain est en contact avec la première et le film à semi-conducteurs en forme d'îlot est enserré entre la première et la seconde électrode source ou drain. De plus, la présente invention a trait à un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteurs.
Также опубликовано как:
JP2007134687US20070087487JP2013016861CN101278403JP2014103418JP2015144312
WO/2007/043493