Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (CN101796720) Input circuitry for transistor power amplifier and method for designing such circuitry

Ведомство : Китай
Номер заявки: 200880105804.0 Дата заявки: 21.07.2008
Номер публикации: 101796720 Дата публикации: 04.08.2010
Вид публикации: A
Справочный номер PCT: Номер заявки:PCTUS2008070622 ; Номер публикации:2009035767 Нажать здесь, чтобы просмотреть данные
МПК:
H03F 1/56
H03H 7/38
H03H 11/28
H03F 3/19
H03F 3/193
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
F
Усилители
1
Конструктивные элементы усилителей, выполненные только на разрядных электронных, полупроводниковых или неспецифицированных приборах, используемых в качестве усилительных элементов
56
модификации входных или выходных полных сопротивлений, не предусмотренные в других подгруппах
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
H
Цепи полного (активного и реактивного) сопротивления, например резонансные контуры; резонаторы
7
Многополюсники, содержащие только пассивные электрические элементы в качестве компонентов схемы
38
схемы согласования полных сопротивлений
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
H
Цепи полного (активного и реактивного) сопротивления, например резонансные контуры; резонаторы
11
Схемы с использованием активных элементов
02
многополюсные схемы
28
схемы согласования сопротивлений
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
F
Усилители
3
Усилители, имеющие в качестве усилительных элементов только электронные или только полупроводниковые приборы
189
усилители высокой частоты, например радиочастотные усилители
19
только на полупроводниковых приборах
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
F
Усилители
3
Усилители, имеющие в качестве усилительных элементов только электронные или только полупроводниковые приборы
189
усилители высокой частоты, например радиочастотные усилители
19
только на полупроводниковых приборах
193
на приборах с использованием полевого эффекта
CPC:
H03F 1/565
H03F 3/1935
H03F2200/222
H03F2200/228
H03F2200/249
H03F2200/252
H03F2200/451
H03F2200/99
H03H 7/38
Заявители: Raytheon Co.
雷声公司
Изобретатели: Tremblay John C.
C·S·惠兰
Whelan Colin S.
J·C·特伦布莱
Агенты: liu yu wang yang
永新专利商标代理有限公司 72002
永新专利商标代理有限公司 72002
Дата приоритета: 11851425 07.09.2007 US
Название: (EN) Input circuitry for transistor power amplifier and method for designing such circuitry
(ZH) 晶体管功率放大器的输入电路和设计这种电路的方法
Реферат: front page image
(EN) A circuit having: an input matching network, a transistor (14) coupled to an output of the input matching network; and wherein the input matching network (12) has a first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively low power level and wherein the input matching network (12) has an input impedance different from the first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively high power level.
(ZH)

一种电路具有:输入匹配网络;晶体管(14),其耦合到所述输入匹配网络的输出;并且其中,当向所述输入匹配网络(12)馈送具有相对低的功率电平的输入信号时,所述输入匹配网络(12)具有第一输入阻抗,并且其中,当向所述输入匹配网络(12)馈送具有相对高的功率电平的输入信号时,所述输入匹配网络(12)具有不同于所述第一输入阻抗的输入阻抗。


Также опубликовано как:
KR1020100063767EP2203974IN887/KOLNP/2010WO/2009/035767