Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019068094) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION TECHNIQUES
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/068094 № международной заявки: PCT/US2018/053780
Дата публикации: 04.04.2019 Дата международной подачи: 01.10.2018
МПК:
H01L 45/00 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
45
Приборы на твердом теле, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, не имеющие потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера, например диэлектрические триоды; приборы с эффектом Овшинского; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки вышеуказанных приборов или их частей
Заявители:
CROSSBAR, INC. [US/US]; 3200 Patrick Henry Drive, Suite 110 Santa Clara, California 95054, US
Изобретатели:
JO, Sung-Hyun; US
NARAYANAN, Sundar; US
GU, Zhen; US
Агент:
CHO, Steve Y.; US
Дата приоритета:
62/566,15429.09.2017US
Название (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION TECHNIQUES
(FR) MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE ET TECHNIQUES DE FABRICATION
Реферат:
(EN) A self-aligned memory device includes a conductive bottom plug disposed within an insulating layer and having a coplanar top surface, a self-aligned planar bottom electrode disposed upon the coplanar top surface and having a thickness within a range of 50 Angstroms to 200 Angstroms, a planar switching material layer disposed upon the self-aligned planar bottom electrode, a planar active metal material layer disposed upon the planar switching material layer and a planar top electrode disposed above the planar active metal material layer, wherein the self-aligned planar bottom electrode, the planar switching material layer, the planar active metal material layer, and the planar top electrode form a pillar-like structure above the insulating layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire auto-aligné comprenant une fiche inférieure conductrice, disposée à l'intérieur d'une couche isolante et ayant une surface supérieure coplanaire, une électrode inférieure plane auto-alignée, disposée sur la surface supérieure coplanaire et ayant une épaisseur dans une plage de 50 angströms à 200 angströms, une couche plane de matériau de commutation, disposée sur l'électrode inférieure plane auto-alignée, une couche plane de matériau métallique actif, disposée sur la couche plane de matériau de commutation et une électrode supérieure plane, disposée au-dessus de la couche plane de matériau métallique actif, l'électrode inférieure plane auto-alignée, la couche plane de matériau de commutation, la couche plane de matériau métallique actif et l'électrode supérieure plane formant une structure de type pilier au-dessus de la couche isolante.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)