Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019067084) RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/067084 № международной заявки: PCT/US2018/044516
Дата публикации: 04.04.2019 Дата международной подачи: 31.07.2018
МПК:
H03F 1/02 (2006.01) ,H03F 1/30 (2006.01) ,H03F 3/195 (2006.01) ,H03F 3/24 (2006.01) ,H03F 3/72 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
F
Усилители
1
Конструктивные элементы усилителей, выполненные только на разрядных электронных, полупроводниковых или неспецифицированных приборах, используемых в качестве усилительных элементов
02
модификация усилителей для повышения коэффициента полезного действия, например усилительные каскады, работающие без отсечки в режиме класса A, применение вспомогательных колебаний
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
F
Усилители
1
Конструктивные элементы усилителей, выполненные только на разрядных электронных, полупроводниковых или неспецифицированных приборах, используемых в качестве усилительных элементов
30
модификация усилителей для снижения влияния температурных изменений или напряжения питания
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
F
Усилители
3
Усилители, имеющие в качестве усилительных элементов только электронные или только полупроводниковые приборы
189
усилители высокой частоты, например радиочастотные усилители
19
только на полупроводниковых приборах
195
в интегральных схемах
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
F
Усилители
3
Усилители, имеющие в качестве усилительных элементов только электронные или только полупроводниковые приборы
20
усилители мощности, например усилители, работающие в режиме класса B, класса C
24
выходные каскады передатчиков
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
F
Усилители
3
Усилители, имеющие в качестве усилительных элементов только электронные или только полупроводниковые приборы
72
стробированные усилители, т.е. усилители, которые переводятся в рабочее или нерабочее состояние посредством управляющего сигнала
Заявители:
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449, US
Изобретатели:
LAIGHTON, Christopher, M.; US
BIELUNIS, Alan, J.; US
WATTERS, Edward, A.; US
Агент:
MOFFORD, Donald, F.; US
ROBINSON, Kermit; US
DURKEE, Paul, D.; US
MILMAN, Seth, A.; US
MOOSEY, Anthony, T.; US
DALY, Christopher, S.; US
CROWLEY, Judith, C.; US
DOWNING, Marianne, M.; US
FLINDERS, Matthew; US
BLAU, David, E.; US
SICARD, Keri, E.; US
DUBUC, Marisa, J.; US
LEE, Lewis, J.; US
DIMOV, Kiril, O.; US
Дата приоритета:
15/718,50428.09.2017US
Название (EN) RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE
Реферат:
(EN) An amplifier (10) having a Radio Frequency (RF) power level detector circuit (12) for producing a control signal in accordance with a power level of an RF input signal. The control signal indicates whether the power level of the input signal is within a predetermined range of power levels greater than zero. A bias circuit (16) is fed by the control signal, for producing a fixed bias voltage at a gate electrode of a field effect transistor (FET) to establish a predetermined quiescent current for the FET when the control signal indicates the power level of the RF input signal is within the predetermined range of power levels and to reduce the bias voltage to reduce the predetermined quiescent current when the control signal indicates the power level of the RF input signal is below the predetermined range of power levels.
(FR) La présente invention concerne un amplificateur (10) comprenant un circuit détecteur de niveau de puissance radiofréquence (RF) destiné à produire un signal de commande en fonction d'un niveau de puissance d'un signal d'entrée RF. Le signal de commande indique si le niveau de puissance du signal d'entrée se trouve dans une plage prédéterminée de niveaux de puissance supérieur à zéro. Un circuit de polarisation (16) est alimenté au moyen du signal de commande, de façon à produire une tension de polarisation fixe au niveau d'une électrode de grille d'un transistor à effet de champ (FET) afin d'établir un courant de repos prédéterminé destiné au FET lorsque le signal de commande indique que le niveau de puissance du signal d'entrée RF se trouve dans la plage prédéterminée de niveaux de puissance et de façon à réduire la tension de polarisation afin de réduire le courant de repos prédéterminé lorsque le signal de commande indique que le niveau de puissance du signal d'entrée RF est inférieur à la plage prédéterminée de niveaux de puissance.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)