Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019066953) GROUP III-NITRIDE (III-N) DEVICES WITH REDUCED CONTACT RESISTANCE AND THEIR METHODS OF FABRICATION
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/066953 № международной заявки: PCT/US2017/054566
Дата публикации: 04.04.2019 Дата международной подачи: 29.09.2017
МПК:
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
778
с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения двух полярностей, например транзисторы с высокой подвижностью электронов HEMT
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
Заявители:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Изобретатели:
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
Агент:
HOWARD, James; US
Дата приоритета:
Название (EN) GROUP III-NITRIDE (III-N) DEVICES WITH REDUCED CONTACT RESISTANCE AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) DISPOSITIFS À NITRURE DU GROUPE III (III-N) À RÉSISTANCE DE CONTACT RÉDUITE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Реферат:
(EN) A device including a III-N material is described. In an example, the device has a terminal structure with a central body and a first plurality of fins, and a second plurality of fins, opposite the first plurality of fins. A polarization charge inducing layer including a III-N material in the terminal structure. A gate electrode is disposed above and on a portion of the polarization charge inducing layer. A source structure is on the polarization charge inducing layer and on sidewalls of the first plurality of fins. A drain structure is on the polarization charge inducing layer and on sidewalls of the second plurality of fins. The device further includes a source structure and a drain structure on opposite sides of the gate electrode and a source contact on the source structure and a drain contact on the drain structure.
(FR) L'invention concerne un dispositif comprenant un matériau III-N. Dans un exemple, le dispositif présente une structure de borne avec un corps central et une première pluralité d'ailettes, et une deuxième pluralité d'ailettes opposée à la première pluralité d'ailettes. Une couche induisant une charge de polarisation comprend un matériau III-N dans la structure de borne. Une électrode de gâchette est disposée au-dessus et sur une portion de la couche induisant une charge de polarisation. Une structure de source se trouve sur la couche induisant une charge de polarisation et sur les parois latérales de la première pluralité d'ailettes. Une structure de drain se trouve sur la couche induisant une charge de polarisation et sur les parois latérales de la deuxième pluralité d'ailettes. Le dispositif comprend en outre une structure de source et une structure de drain sur des côtés opposés de l'électrode de gâchette et un contact de source sur la structure de source et un contact de drain sur la structure de drain.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)