Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019066855) INTERCONNECTS HAVING A PORTION WITHOUT A LINER MATERIAL AND RELATED STRUCTURES, DEVICES, AND METHODS
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/066855 № международной заявки: PCT/US2017/054018
Дата публикации: 04.04.2019 Дата международной подачи: 28.09.2017
МПК:
H01L 21/768 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
71
изготовление особых частей устройств, относящихся к группам
768
с применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора
Заявители:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Изобретатели:
CHANDHOK, Manish; US
SCHENKER, Richard; US
TRONIC, Tristan; US
Агент:
BOOTH, Brett C.; US
Дата приоритета:
Название (EN) INTERCONNECTS HAVING A PORTION WITHOUT A LINER MATERIAL AND RELATED STRUCTURES, DEVICES, AND METHODS
(FR) INTERCONNEXIONS AYANT UNE PORTION SANS MATÉRIAU DE REVÊTEMENT ET STRUCTURES, DISPOSITIFS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Реферат:
(EN) Integrated circuit (IC) structures, computing devices, and related methods are disclosed. An IC structure includes an interlayer dielectric (ILD), an interconnect, and a liner material separating the interconnect from the ILD. The interconnect includes a first end extending to or into the ILD and a second end opposite the first end. A second portion of the interconnect extending from the second end to a first portion of the interconnect proximate to the first end does not include the liner material thereon. A method of manufacturing an IC structure includes removing an ILD from between interconnects, applying a conformal hermetic liner, applying a carbon hard mask (CHM) between the interconnects, removing a portion of the CHM, removing the conformal hermetic liner to a remaining CHM, and removing the exposed portion of the liner material to the remaining CHM to expose the second portion of the interconnects.
(FR) L'invention concerne des structures de circuit intégré (CI), des dispositifs informatiques et des procédés associés. Une structure de CI comprend un diélectrique intercouche (ILD), une interconnexion et un matériau de revêtement qui sépare l'interconnexion de l'ILD. L'interconnexion comprend une première extrémité qui s'étend vers ou dans l'ILD et une deuxième extrémité opposée à la première extrémité. Le matériau de revêtement n'est pas présent sur une deuxième portion de l'interconnexion qui s'étend de la deuxième extrémité à une première portion de l'interconnexion à proximité de la première extrémité. Un procédé de fabrication d'une structure de CI comprend l'enlèvement d'un ILD d'entre des interconnexions, l'application d'un revêtement hermétique conforme, l'application d'un masque dur de carbone (CHM) entre les interconnexions, l'enlèvement d'une portion du CHM, l'enlèvement du revêtement hermétique conforme d'un CHM restant, et l'enlèvement de la portion exposée du matériau de revêtement du CHM restant pour exposer la deuxième portion des interconnexions.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)