Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019064172) PHOTORESIST PATTERNING ON SILICON NITRIDE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/064172 № международной заявки: PCT/IB2018/057394
Дата публикации: 04.04.2019 Дата международной подачи: 25.09.2018
МПК:
G03F 7/00 (2006.01)
G ФИЗИКА
03
Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография
F
Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей
7
Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей
Заявители:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District, Beijing 100101, CN (MG)
Изобретатели:
SESHADRI, Indira; US
DE SILVA, Ekmini, Anuja; US
LIU, Chi-Chun; US
CHI, Cheng; US
GUO, Jing; US
MELI THOMPSON, Luciana; US
Агент:
GASCOYNE, Belinda; GB
Дата приоритета:
15/719,60829.09.2017US
Название (EN) PHOTORESIST PATTERNING ON SILICON NITRIDE
(FR) FORMATION DE MOTIFS DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE SUR DU NITRURE DE SILICIUM
Реферат:
(EN) Embodiments of the present invention provide systems and methods for trapping amines. This in turn mitigates the undesired scumming and footing effects in a photoresist. The polymer brush is grafted onto a silicon nitride surface. The functional groups and molecular weight of the polymer brush provide protons and impose steric hindrance, respectively, to trap amines diffusing from a silicon nitride surface.
(FR) Selon divers modes de réalisation, la présente invention concerne des systèmes et des procédés de piégeage d'amines. Ceci permet à son tour d'atténuer les effets de graissage et de base indésirables dans une résine photosensible. La brosse en polymère est greffée sur une surface de nitrure de silicium. Les groupes fonctionnels et le poids moléculaire de la brosse en polymère fournissent des protons et imposent un empêchement stérique, respectivement, pour piéger des amines se diffusant à partir d'une surface de nitrure de silicium.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)