Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019063967) OFET-BASED ETHYLENE GAS SENSOR
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/063967 № международной заявки: PCT/GB2018/052584
Дата публикации: 04.04.2019 Дата международной подачи: 12.09.2018
МПК:
G01N 27/414 (2006.01)
G ФИЗИКА
01
Измерение; испытание
N
Исследование или анализ материалов путем определения их химических или физических свойств
27
Исследование или анализ материалов с помощью электрических, электрохимических или магнитных средств
26
путем определения электрохимических параметров; путем электролиза или электрофореза
403
блоки ячеек и электродов
414
ионно-селективные полевые транзисторы или химические полевые транзисторы
Заявители:
CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED [GB/GB]; Unit 12 Cardinal Park, Cardinal Way,, Godmanchester Godmanchester Cambridgeshire PE29 2XG, GB (MG)
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LIMITED [JP/JP]; Floor 18, Sumitomo Twin Buildings, 27-1 Shinkawa 2-chome,, Chuo-ku Tokyo, 104-8260, JP
Изобретатели:
GODDARD, Simon; GB
DARTNELL, Nicholas; GB
Агент:
GAHLINGS, Steven; GB
Дата приоритета:
1715683.728.09.2017GB
Название (EN) OFET-BASED ETHYLENE GAS SENSOR
(FR) CAPTEUR DE GAZ ÉTHYLÈNE CONTITUÉ D'UN TEC ORGANIQUE
Реферат:
(EN) An ethylene gas sensor based on an organic field-effect transistor that includes an organic semiconductor layer incorporating a non-conducting polymer. The non-conducting polymer enhances the response of the organic field-effect transistor to presence of ethylene.
(FR) L'invention concerne un capteur de gaz éthylène constitué d'un transistor à effet de champ organique qui comprend une couche semi-conductrice organique contenant un polymère non conducteur. Le polymère non conducteur améliore la réponse du transistor à effet de champ organique à la présence d'éthylène.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)