Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019063771) GALVANIC ISOLATED DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/063771 № международной заявки: PCT/EP2018/076419
Дата публикации: 04.04.2019 Дата международной подачи: 28.09.2018
МПК:
H03K 19/0175 (2006.01) ,H04B 10/80 (2013.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
K
Импульсная техника
19
Логические схемы, т.е. устройства, имеющие не менее двух входов, работающих на один выход ; инверторные схемы
0175
устройства связи; переходные устройства
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
04
Техника электрической связи
B
Передача сигналов
10
Передающие системы, использующие электромагнитные волны иные, чем радиоволны, например видимый свет, инфракрасный или ультрафиолетовый свет, или использующие корпускулярное излучение, например, квантовую связь
80
оптические аспекты, относящиеся к использованию оптической передачи для особенных применений, не предусмотренные в группах , например, для подачи оптической мощности, для оптической передачи через воду
Заявители:
INTERDIGITAL CE PATENT HOLDINGS [FR/FR]; 3 rue du colonel Moll 75017 Paris, FR
Изобретатели:
MARCHAND, Philippe; FR
FOUQUE, Claude; FR
SALOU, Frédérique; FR
Агент:
HUCHET, Anne; FR
PERROT, Sébastien; FR
LORETTE, Anne; FR
ROLLAND, Sophie; FR
LABELLE, Lilian; FR
MORAIN, David; FR
AMOR, Rim; FR
STAHL, Niclas; FR
Дата приоритета:
17306294.429.09.2017EP
Название (EN) GALVANIC ISOLATED DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM
(FR) DISPOSITIF ISOLÉ GALVANIQUE ET SYSTÈME CORRESPONDANT
Реферат:
(EN) A device including an optoelectric circuit that is configured to provide galvanic isolation between a first circuit and a second circuit is disclosed. The optoelectric circuit includes at least one non-inverting buffer and a metal semiconductor diode. The at least one non-inverting buffer is positioned between a collector of a phototransistor and an anode of a light emitting diode. The metal semiconductor diode is positioned between the collector of the phototransistor and the at least one non-inverting buffer.
(FR) L'invention concerne un dispositif comprenant un circuit optoélectrique configuré pour assurer une isolation galvanique entre un premier et un deuxième circuit. Le circuit optoélectrique comprend au moins un tampon non inverseur et une diode à semi-conducteur métallique. Ledit tampon non inverseur au moins est positionné entre un collecteur d'un phototransistor et une anode d'une diode électroluminescente. La diode à semi-conducteur métallique est positionnée entre le collecteur du phototransistor et ledit tampon non inverseur au moins.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)