Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019050625) CIRCUITRY FOR WRITING TO AND READING FROM AN ARRAY OF RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/050625 № международной заявки: PCT/US2018/042342
Дата публикации: 14.03.2019 Дата международной подачи: 16.07.2018
МПК:
G11C 13/02 (2006.01) ,G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 5/04 (2006.01)
G ФИЗИКА
11
Накопление информации
C
Запоминающие устройства статического типа
13
Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением элементов памяти, не отнесенных к группам , или
02
с использованием элементов, работа которых зависит от химических изменений
G ФИЗИКА
11
Накопление информации
C
Запоминающие устройства статического типа
5
Конструктивные элементы запоминающих устройств, отнесенных к группе
02
размещение элементов памяти, например в форме матриц
G ФИЗИКА
11
Накопление информации
C
Запоминающие устройства статического типа
5
Конструктивные элементы запоминающих устройств, отнесенных к группе
02
размещение элементов памяти, например в форме матриц
04
подложки для элементов памяти; крепление или фиксация элементов памяти на них
Заявители:
SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134, US
Изобретатели:
TRAN, Hieu, Van; US
LY, Anh; US
VU, Thuan; US
HONG, Stanley; US
ZHOU, Feng; US
LIU, Xian; US
DO, Nhan; US
Агент:
YAMASHITA, Brent; US
Дата приоритета:
15/701,07111.09.2017US
Название (EN) CIRCUITRY FOR WRITING TO AND READING FROM AN ARRAY OF RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
(FR) CIRCUIT D'ÉCRITURE SUR ET DE LECTURE À PARTIR D'UN RÉSEAU DE CELLULES DE MÉMOIRE RÉSISTIVE À ACCÈS ALÉATOIRE
Реферат:
(EN) Numerous embodiments of circuitry for writing to and reading from resistive random access memory cells are disclosed. Various architectures and layouts for an array of resistive access memory cells also are disclosed.
(FR) Selon de nombreux modes de réalisation, l'invention concerne des circuits d'écriture sur et de lecture à partir de cellules de mémoire résistive à accès aléatoire. L'invention concerne également diverses architectures et agencements pour un réseau de cellules de mémoire à accès résistif.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)