Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019049876) SILICON SUBSTRATE TO BE USED FOR PRODUCTION OF EPITAXIAL SILICON THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/049876 № международной заявки: PCT/JP2018/032815
Дата публикации: 14.03.2019 Дата международной подачи: 05.09.2018
МПК:
H01L 21/20 (2006.01) ,C23C 14/00 (2006.01) ,C23C 14/02 (2006.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,C30B 25/02 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 31/0392 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
20
нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
14
Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
14
Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие
02
предварительная обработка покрываемого материала
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
14
Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие
06
характеризуемые покрывающим материалом
14
металлический материал, бор или кремний
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
30
Выращивание кристаллов
B
Выращивание монокристаллов ; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой ; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; устройства для вышеуказанных целей
25
Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
02
выращивание эпитаксиальных слоев
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
30
Выращивание кристаллов
B
Выращивание монокристаллов ; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой ; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; устройства для вышеуказанных целей
29
Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
02
элементы
06
кремний
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
20
нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
203
физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
30
обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в
31
с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии ; последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев
314
из неорганических веществ
316
из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
31
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
0248
характеризуемые полупроводниковой подложкой
036
отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей
0392
содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
31
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
04
предназначенные для работы в качестве преобразователей
06
характеризуемые, по меньшей мере, одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером
068
потенциальные барьеры только типа барьеров с p-n гомоструктурным переходом, например монолитные кремниевые p-n гомоструктурные солнечные батареи или кремниевые поликристаллические тонкопленочные p-n гомоструктурные солнечные батареи
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
31
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
18
способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей
Заявители:
国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都目黒区大岡山2丁目12番1号 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550, JP
Изобретатели:
伊原 学 IHARA Manabu; JP
長谷川 馨 HASEGAWA Kei; JP
高澤 千明 TAKAZAWA Chiaki; JP
松浦 明 MATSUURA Akira; JP
Агент:
特許業務法人たかはし国際特許事務所 TAKAHASHI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都杉並区上荻一丁目25番1号 ヤマキ産業ビル2階 YAMAKISANGYO Bldg. 2F, 25-1, Kamiogi 1-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670043, JP
Дата приоритета:
2017-17003705.09.2017JP
Название (EN) SILICON SUBSTRATE TO BE USED FOR PRODUCTION OF EPITAXIAL SILICON THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT DE SILICIUM DESTINÉ À ÊTRE UTILISÉ DANS LA PRODUCTION D'UNE COUCHE MINCE DE SILICIUM ÉPITAXIAL, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) エピタキシャルシリコン薄膜の製造に用いられるシリコン基板及びその製造方法
Реферат:
(EN) The present invention addresses: the problem of providing a high-quality epitaxial silicon thin film having few defects in the production of an epitaxial silicon thin film using double layer porous silicon (DLPS); and the problem of providing a highly efficient single crystal silicon solar cell or the like at low cost. The problems are solved by a silicon substrate having a double layer porous silicon layer (DLPS) that is composed of a low porosity layer (LPL) and a high porosity layer (HPL), which is configured such that the low porosity layer (LPL) has a surface roughness (Rms) of 0.3 nm or less, said surface roughness being represented by formula (1). (In formula (1), l represents the standard length; and Z(x) represents the height difference from the reference line at the position x.)
(FR) La présente invention aborde le problème consistant à fournir une couche mince de silicium épitaxial de haute qualité qui présente peu de défauts dans la production d'une couche mince de silicium épitaxial à l'aide de silicium poreux bicouche (DLPS), et le problème consistant à fournir une photopile en silicium monocristallin ou similaire hautement efficace à faible coût. La solution porte sur un substrat en silicium comprenant une couche de silicium poreux bicouche (DLPS) composée d'une couche à faible porosité (LPL) et d'une couche à porosité élevée (HPL), qui est conçue de telle sorte que la couche à faible porosité (LPL) présente une rugosité de surface (Rms) inférieure ou égale à 0,3 nm représentée par la formule (1). (Dans la formule (1), l représente la longueur standard ; et Z(x) représente la différence de hauteur de la ligne de référence à la position x.)
(JA) 2層ポーラスシリコン(DLPS)を使用したエピタキシャルシリコン薄膜の製造において、欠陥の少ない高品質なエピタキシャルシリコン薄膜を提供し、ひいては高効率な単結晶シリコン太陽電池等を低コストで提供することを課題とし、低多孔度層(LPL)と高多孔度層(HPL)からなる2層ポーラスシリコン層を有するシリコン基板(DLPS)において、低多孔度層(LPL)の下記式(1)で表される表面粗さ(Rms)を、0.3nm以下となるようにすることにより上記課題を解決した。  [式(1)において、lは基準長さ、Z(x)は位置xにおける基準線からの高低差である。]
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)