Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019049718) AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR PREPARING SAME
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/049718 № международной заявки: PCT/JP2018/031674
Дата публикации: 14.03.2019 Дата международной подачи: 28.08.2018
МПК:
H01L 31/107 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
31
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
08
в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы
10
характеризуемые наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы
101
чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению
102
характеризуемые наличием только одного потенциального или поверхностного барьера
107
с потенциальным барьером, работающим в лавинном режиме, например лавинные фотодиоды
Заявители:
日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116, JP
Изобретатели:
名田 允洋 NADA, Masahiro; JP
松崎 秀昭 MATSUZAKI, Hideaki; JP
Агент:
山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki; JP
小池 勇三 KOIKE, Yuzo; JP
山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki; JP
Дата приоритета:
2017-17098806.09.2017JP
Название (EN) AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR PREPARING SAME
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(JA) アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
Реферат:
(EN) According to the present invention, an n-type semiconductor layer (102), a multiplication layer (103), an electric field control layer (104), a light absorption layer (105) and a p-type semiconductor layer (106) are formed on a growth substrate (101), and then the p-type semiconductor layer (106) is attached to a transfer substrate (107). Thereafter, the growth substrate (101) is removed, and the n-type semiconductor layer (102) is processed to have an area smaller than the multiplication layer (103).
(FR) Selon la présente invention, une couche semi-conductrice de type n (102), une couche de multiplication (103), une couche de commande de champ électrique (104), une couche d'absorption de lumière (105) et une couche semi-conductrice de type p (106) sont formées sur un substrat de croissance (101), puis la couche semi-conductrice de type p (106) est fixée à un substrat de transfert (107). Ensuite, le substrat de croissance (101) est retiré, et la couche semi-conductrice de type n (102) est traitée pour avoir une zone plus petite que la couche de multiplication (103).
(JA) n型半導体層(102)、増倍層(103)、電界制御層(104)、光吸収層(105)、p型半導体層(106)を成長基板(101)の上に形成した後で、p型半導体層(106)を転写基板(107)に貼り付ける。この後、成長基板(101)を除去し、n型半導体層(102)を、増倍層(103)より小さい面積に加工する。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)