Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019046629) SEMICONDUCTOR DEVICES, HYBRID TRANSISTORS, AND RELATED METHODS
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/046629 № международной заявки: PCT/US2018/048934
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 30.08.2018
МПК:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
786
тонкопленочные транзисторы
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
04
с подложкой из полупроводника
10
содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией
105
компоненты с полевым эффектом
Заявители:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Mailstop 1-507 Boise, Idaho 83707, US
Изобретатели:
KARDA, Kamal M.; US
LIU, Haitao; US
RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal; US
Агент:
GUTKE, Steven W.; US
BACA, Andrew J.; US
ZIEGLER, Bailey M.; US
BEZDJIAN, Daniel J.; US
BAKER, Gregory C.; US
FLORES, Jesse M.; US
GUNN, J. Jeffrey; US
HAMER, Katherine A.; US
SCHIERMAN, Elizabeth Herbst; US
WALKOWSKI, Joseph A.; US
WATSON, James C.; US
WHITLOCK, Nathan E.; US
WOODHOUSE, Kyle M.; US
Дата приоритета:
16/118,11030.08.2018US
62/552,82431.08.2017US
Название (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES, HYBRID TRANSISTORS, AND RELATED METHODS
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR, TRANSISTORS HYBRIDES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Реферат:
(EN) A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a hybrid transistor including a gate electrode, a drain material, a source material, and a channel material operatively coupled between the drain material and the source material. The source material and the drain material include a low bandgap high mobility material relative to the channel material that is high bandgap low mobility material. Memory arrays, semiconductor devices, and systems incorporating memory cells, and hybrid transistors are also disclosed, as well as related methods for forming and operating such devices.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend un transistor hybride comprenant une électrode grille, un matériau drain, un matériau source et un matériau de canal fonctionnellement couplé entre le matériau drain et le matériau source. Le matériau source et le matériau drain comprennent un matériau à mobilité élevée à bande interdite faible par rapport au matériau de canal qui est un matériau à faible mobilité à bande interdite élevée. L'invention concerne également des matrices mémoires, des dispositifs à semi-conducteur et des systèmes comportant des cellules de mémoire, et des transistors hybrides, ainsi que des procédés associés pour former et faire fonctionner de tels dispositifs.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)