Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019046326) READ VOLTAGE CALIBRATION BASED ON HOST IO OPERATIONS
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/046326 № международной заявки: PCT/US2018/048383
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 28.08.2018
МПК:
G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/30 (2006.01)
G ФИЗИКА
11
Накопление информации
C
Запоминающие устройства статического типа
16
Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией
02
электрически программируемые
06
вспомогательные схемы, например, для записи в запоминающее устройство
26
схемы считывания или чтения; схемы вывода данных
G ФИЗИКА
11
Накопление информации
C
Запоминающие устройства статического типа
16
Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией
02
электрически программируемые
06
вспомогательные схемы, например, для записи в запоминающее устройство
30
схемы электропитания
Заявители:
RATNAM, Sampath [IN/US]; US
TANPAIROJ, Kulachet [US/US]; US
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Изобретатели:
RATNAM, Sampath; US
TANPAIROJ, Kulachet; US
MALSHE, Ashutosh; US
MUCHHERLA, Kishore Kumar; US
SINGIDI, Harish Reddy; US
FEELEY, Peter Sean; US
LUO, Ting; US
Дата приоритета:
15/689,74729.08.2017US
Название (EN) READ VOLTAGE CALIBRATION BASED ON HOST IO OPERATIONS
(FR) ÉTALONNAGE DE TENSION DE LECTURE SUR LA BASE D'OPÉRATIONS ES HÔTES
Реферат:
(EN) Devices and techniques for read voltage calibration of a flash-based storage system based on host IO operations are disclosed. In an example, a memory device includes a NAND memory array having groups of multiple blocks of memory cells, and a memory controller to optimize voltage calibration for reads of the memory array. In an example, the optimization technique includes monitoring read operations occurring to a respective block, identifying a condition to trigger a read level calibration based on the read operations, and performing the read level calibration for the respective block or a memory component that includes the respective block. In a further example, the calibration is performed based on a threshold voltage to read the respective block, which may be considered when the threshold voltage to read the respective block is evaluated within a sampling operation performed by the read level calibration.
(FR) L'invention concerne des dispositifs et des techniques pour l'étalonnage de tension de lecture d'un système de stockage basé sur flash sur la base d'opérations ES hôtes. Dans un exemple, un dispositif de mémoire comprend un réseau de mémoire NON-ET comportant des groupes de multiples blocs de cellules de mémoire, et un dispositif de commande de mémoire afin d'optimiser l'étalonnage de tension pour des lectures du réseau de mémoire. Dans un exemple, la technique d'optimisation comprend la surveillance d'opérations de lecture se produisant dans un bloc respectif, l'identification d'une condition pour déclencher un étalonnage de niveau de lecture sur la base des opérations de lecture, et la réalisation de l'étalonnage de niveau de lecture pour le bloc respectif ou un composant de mémoire qui comprend le bloc respectif. Dans un autre exemple, l'étalonnage est effectué sur la base d'une tension de seuil afin de lire le bloc respectif, ce qui peut être pris en compte lorsque la tension de seuil pour lire le bloc respectif est évaluée dans une opération d'échantillonnage effectuée par l'étalonnage de niveau de lecture.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)