Поиск по международным и национальным патентным фондам
Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019046064) METHOD OF ETCHING MAGNETORESISTIVE STACK
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2019/046064 № международной заявки: PCT/US2018/047524
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 22.08.2018
МПК:
H01L 43/12 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
43
Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей
12
способы или устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов или их частей
Заявители:
EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 5670 West Chandler Blvd. Suite 100 Chandler, AZ 85226, US
Изобретатели:
NAGEL, Kerry, Joseph; US
AGGARWAL, Sanjeev; US
DESHPANDE, Sarin, A.; US
Агент:
CHANDRAN, Biju; US
Дата приоритета:
62/551,40029.08.2017US
Название (EN) METHOD OF ETCHING MAGNETORESISTIVE STACK
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE PILE MAGNÉTORÉSISTIVE
Реферат:
(EN) Magnetoresistive bit fabrication includes etching through at least a portion of a thickness of a surface region including a hard mask to create a first set of exposed areas in the form of multiple parallel strips extending in a first direction, etching through at least a portion of a thickness of the surface region to create a second set of exposed areas in the form of multiple parallel strips extending in a second direction, preferably transverse to the first direction, and etching through at least a portion of the thickness of the magnetoresistive stack through the first and second sets of exposed areas.
(FR) Selon l'invention, la fabrication de fragments magnétorésistifs consiste à effectuer une gravure à travers au moins une partie d'une épaisseur d'une région de surface comprenant un masque dur pour créer un premier ensemble de zones exposées sous forme de multiples bandes parallèles s'étendant dans une première direction, à effectuer une gravure à travers au moins une partie d'une épaisseur de la région de surface pour créer un second ensemble de zones exposées sous forme de multiples bandes parallèles s'étendant dans une seconde direction, de préférence transversale à la première direction, et à effectuer une gravure à travers au moins une partie de l'épaisseur de l'empilement magnétorésistif à travers les premier et second ensembles de zones exposées.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)