Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019046050) MEMORY ARRAY RESET READ OPERATION
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/046050 № международной заявки: PCT/US2018/047359
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 21.08.2018
МПК:
G11C 16/20 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G06F 12/02 (2006.01)
G ФИЗИКА
11
Накопление информации
C
Запоминающие устройства статического типа
16
Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией
02
электрически программируемые
06
вспомогательные схемы, например, для записи в запоминающее устройство
10
схемы программирования или ввода данных
20
инициализация; предварительный набор данных; идентификация микросхемы
G ФИЗИКА
11
Накопление информации
C
Запоминающие устройства статического типа
16
Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией
02
электрически программируемые
06
вспомогательные схемы, например, для записи в запоминающее устройство
26
схемы считывания или чтения; схемы вывода данных
G ФИЗИКА
11
Накопление информации
C
Запоминающие устройства статического типа
16
Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией
02
электрически программируемые
04
с использованием транзисторов с переменным порогом, например лавинно-инжекционного моп-транзистора с плавающим затвором
G ФИЗИКА
06
Обработка данных; вычисление; счет
F
Обработка цифровых данных с помощью электрических устройств
12
Выборка, адресация или распределение данных в системах или архитектурах памяти
02
адресация или местонахождение в памяти; переадресация
Заявители:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Изобретатели:
BINFET, Jeremy; US
HELM, Mark; US
FILIPIAK, William; US
HAWES, Mark; US
Агент:
HARRIS, Philip W.; US
Дата приоритета:
15/688,64528.08.2017US
Название (EN) MEMORY ARRAY RESET READ OPERATION
(FR) OPÉRATION DE LECTURE DE RÉINITIALISATION DE RÉSEAU DE MÉMOIRE
Реферат:
(EN) Systems, devices, and methods related to reset read are described. A reset read may be employed to initiate a transition of a portion of memory array into a first state or maintain a portion of memory array in a first state, such as a transient state. A reset read may provide a highly-parallelized, energy-efficient option to ensure memory blocks are in the first state. Various modes of reset read may be configured according to different input.
(FR) L'invention concerne des systèmes, des dispositifs et des procédés se rapportant à une lecture de réinitialisation. Une lecture de réinitialisation peut être utilisée pour initier une transition d'une partie du réseau de mémoire dans un premier état ou pour maintenir une partie du réseau de mémoire dans un premier état, tel qu'un état transitoire. Une lecture de réinitialisation peut fournir une option hautement parallélisée et économe en énergie pour garantir que des blocs de mémoire sont dans le premier état. Divers modes de lecture de réinitialisation peuvent être configurés selon différentes entrées.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)