Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019045905) APPARATUSES HAVING MEMORY CELLS WITH TWO TRANSISTORS AND ONE CAPACITOR, AND HAVING BODY REGIONS OF THE TRANSISTORS COUPLED WITH REFERENCE VOLTAGES
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/045905 № международной заявки: PCT/US2018/043313
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 23.07.2018
МПК:
H01L 27/07 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
04
с подложкой из полупроводника
06
содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется
07
несколько компонентов с общей активной зоной
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
04
с подложкой из полупроводника
10
содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией
105
компоненты с полевым эффектом
108
структуры динамических запоминающих устройств с произвольной выборкой
Заявители:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716, US
Изобретатели:
KARDA, Kamal, M.; US
MOULI, Chandra; US
PULUGURTHA, Srinivas; US
GUPTA, Rajesh, N.; IN
Агент:
MATKIN, Mark, S.; US
HENDRICKSEN, Mark, W.; US
LATWESEN, David, G.; US
SHAURETTE, James, D.; US
GRZELAK, Keith, D.; US
Дата приоритета:
62/552,99531.08.2017US
Название (EN) APPARATUSES HAVING MEMORY CELLS WITH TWO TRANSISTORS AND ONE CAPACITOR, AND HAVING BODY REGIONS OF THE TRANSISTORS COUPLED WITH REFERENCE VOLTAGES
(FR) APPAREILS AYANT DES CELLULES DE MÉMOIRE COMPORTANT DEUX TRANSISTORS ET UN CONDENSATEUR, ET DONT LES RÉGIONS DE CORPS DES TRANSISTORS SONT COUPLÉES À DES TENSIONS DE RÉFÉRENCE
Реферат:
(EN) Some embodiments include a memory cell with two transistors and one capacitor. The transistors are a first transistor and a second transistor. The capacitor has a first node coupled with a source/drain region of the first transistor, and has a second node coupled with a source/drain region of the second transistor. The memory cell has a first body region adjacent the source/drain region of the first transistor, and has a second body region adjacent the source/drain region of the second transistor. A first body connection line couples the first body region of the memory cell to a first reference voltage. A second body connection line couples the second body region of the memory cell to a second reference voltage. The first and second reference voltages may be the same as one another, or may be different from one another.
(FR) Certains modes de réalisation de la présente invention concernent une cellule de mémoire comportant deux transistors et un condensateur. Les transistors sont un premier transistor et un second transistor. Le condensateur comprend un premier nœud couplé à une région de source/drain du premier transistor, et comprend un second nœud couplé à une région de source/drain du second transistor. La cellule de mémoire comporte une première région de corps adjacente à la région de source/drain du premier transistor, et comporte une seconde région de corps adjacente à la région de source/drain du second transistor. Une première ligne de connexion de corps couple la première région de corps de la cellule de mémoire à une première tension de référence. Une seconde ligne de connexion de corps couple la seconde région de corps de la cellule de mémoire à une seconde tension de référence. Les première et seconde tensions de référence peuvent être identiques ou différentes.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)