Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019044013) PROTECTION PLATE, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/044013 № международной заявки: PCT/JP2018/012088
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 26.03.2018
МПК:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
30
обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в
31
с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии ; последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
16
Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП)
44
характеризуемые способом покрытия
Заявители:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Изобретатели:
西堂 周平 SAIDO, Shuhei; JP
吉田 秀成 YOSHIDA, Hidenari; JP
岡嶋 優作 OKAJIMA, Yusaku; JP
Дата приоритета:
2017-16547730.08.2017JP
Название (EN) PROTECTION PLATE, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PLAQUE DE PROTECTION, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 保護プレート、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
Реферат:
(EN) Disclosed is a protection plate that suppresses adhesion of a by-product to a furnace opening section of a reaction tube. This protection plate is provided on a lid section that airtightly closes an opening of a cylindrical reaction tube having an open lower end. The protection plate is configured such that the protection plate is provided with: a substantially disc-shaped circular plate section that is provided such that at least a part of the lower surface thereof is in contact with the upper surface of the lid section; a side wall section perpendicularly extending from an outer peripheral end of the circular plate section; a loop-shaped groove formed in the lower surface; and a step section, which is formed further toward the outer peripheral side than the groove in the lower surface, and which generates a predetermined gap with respect to the upper surface of the lid section. The protection plate is also configured such that a gas having been supplied to the groove from a gas supply port formed in the lid section is supplied to the whole outer side of the side wall section through the gap between the lid section and the step section.
(FR) L'invention concerne une plaque de protection qui supprime l'adhérence d'un sous-produit à une section d'ouverture de four d'un tube de réaction. Cette plaque de protection est disposée sur une section de couvercle qui ferme de façon étanche à l'air une ouverture d'un tube de réaction cylindrique ayant une extrémité inférieure ouverte. La plaque de protection est configurée de telle sorte que la plaque de protection comporte : une section de plaque circulaire sensiblement en forme de disque qui est disposée de telle sorte qu'au moins une partie de sa surface inférieure est en contact avec la surface supérieure de la section de couvercle ; une section de paroi latérale s'étendant perpendiculairement à partir d'une extrémité périphérique externe de la section de plaque circulaire ; une rainure en forme de boucle formée dans la surface inférieure ; et une section étagée, qui est formée davantage vers le côté périphérique externe que la rainure dans la surface inférieure, et qui génère un espace prédéterminé par rapport à la surface supérieure de la section de couvercle. La plaque de protection est également configurée de telle sorte qu'un gaz ayant été fourni à la rainure à partir d'un orifice d'alimentation en gaz formé dans la section de couvercle est fourni à l'ensemble du côté externe de la section de paroi latérale à travers l'espace entre la section de couvercle et la section étagée.
(JA) 反応管の炉口部への副生成物の付着を抑制する保護プレートが開示される。下端が開放された円筒状の反応管の開口を気密に閉塞する蓋部上に設けられる保護プレートであって、前記蓋部の上面に少なくとも下面の一部が接する様設けられた略円盤状の円板部と、該円板部の外周端から垂直に延出する側壁部と、前記下面に形成されたループ状の溝と、前記下面の前記溝よりも外周側に形成され、前記蓋部の上面との間に所定の隙間を生じさせる段差部とを具備し、前記蓋部に形成されたガス供給口から前記溝に供給されたガスが、前記蓋部と前記段差部との間を通って前記側壁部の外側全体に供給される様構成された。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)