Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019043973) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/043973 № международной заявки: PCT/JP2017/047289
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 28.12.2017
МПК:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
30
Выращивание кристаллов
B
Выращивание монокристаллов ; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой ; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; устройства для вышеуказанных целей
29
Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
10
неорганические соединения или композиции
36
карбиды
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
30
Выращивание кристаллов
B
Выращивание монокристаллов ; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой ; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; устройства для вышеуказанных целей
25
Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
02
выращивание эпитаксиальных слоев
18
характеризуемое подложкой
20
с подложкой из того же материала, что эпитаксиальный слой
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
20
нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
20
нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
205
разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением
Заявители:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Изобретатели:
堀 勉 HORI, Tsutomu; JP
宮瀬 貴也 MIYASE, Takaya; JP
本家 翼 HONKE, Tsubasa; JP
山本 裕史 YAMAMOTO, Hirofumi; JP
沖田 恭子 OKITA, Kyoko; JP
Агент:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Дата приоритета:
PCT/JP2017/03166801.09.2017JP
Название (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板
Реферат:
(EN) This silicon carbide epitaxial substrate is provided with a single-crystal silicon carbide substrate having a principal surface that has a polytype of 4H and is inclined by an angle θ in an <11-20> orientation from a {0001} plane, and a silicon carbide epitaxial layer of a film thickness t formed on the principal surface. The single-crystal silicon carbide substrate has a diameter of 150 mm or greater. The angle θ is more than 0°, and not more than 6°. Pairs of a pit of a screw dislocation and an oblique line defect present at a location spaced apart by t/tanθ from the pit is present on the surface of the silicon carbide epitaxial layer. The density of pairs of pits and oblique line defects is 0.2/cm2 or less.
(FR) La présente invention concerne un substrat épitaxial de carbure de silicium pourvu d’un substrat de carbure de silicium monocristallin présentant une surface principale qui possède un polytype de 4H et qui est incliné d’un angle θ dans un sens <11-20> depuis un plan {1} et une couche épitaxiale de carbure de silicium d’une épaisseur de film t formée sur la surface principale. Le substrat de carbure de silicium monocristallin présente un diamètre supérieur ou égal à 150 mm. L’angle θ est supérieur à 0° et inférieur ou égal à 6°. Des paires d'un creux d’une dislocation en vis et un défaut de ligne oblique présent à un emplacement espacé de t/tanθ par rapport au creux est présent sur la surface de la couche épitaxiale de carbure de silicium. La densité des paires de creux et des défauts en ligne oblique est inférieure ou égale à 0,2/cm2.
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板は、ポリタイプが4Hであり、{0001}面から<11-20>方位に角度θ傾斜した主面を有する炭化珪素単結晶基板と、主面の上に形成された膜厚tの炭化珪素エピタキシャル層と、を備え、炭化珪素単結晶基板の径は150mm以上であり、角度θは0°を超え6°以下であって、炭化珪素エピタキシャル層の表面には、らせん転位のピットと、ピットよりt/tanθ離れた位置に存在する斜め線欠陥とのペアが存在しており、ピットと斜め線欠陥のペアの密度が0.2個/cm以下である。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)