Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019043511) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/043511 № международной заявки: PCT/IB2018/056334
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 22.08.2018
МПК:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
786
тонкопленочные транзисторы
G ФИЗИКА
02
Оптика
F
Приборы или устройства для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, оптические функции которых изменяются при изменении оптических свойств среды в этих приборах или устройствах например для переключения, стробирования, модуляции или демодуляции; оборудование или технологические процессы для этих целей; преобразование частоты; нелинейная оптика; оптические логические элементы; оптические аналого-цифровые преобразователи
1
Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика
01
для регулирования интенсивности, фазы, поляризации или цвета
13
основанные на жидких кристаллах, например элементы индикации на жидких монокристаллах
133
конструктивные элементы; обеспечение работы элементов на жидких кристаллах; схемные устройства
136
элементы на жидких кристаллах, конструктивно связанные с полупроводниковым слоем или подложкой, например элементы, образующие часть интегральной схемы
1362
активная матрица с адресными ячейками
1368
в которых переключающий элемент является трехэлектродным прибором
G ФИЗИКА
09
Средства обучения; тайнопись; дисплеи; рекламное и выставочное дело; печати и опечатывание
F
Наглядное представление; реклама; вывески; ярлыки или пластинки с заводской маркой; печати
9
Устройства для представления меняющегося информационного материала, в которых информационный материал составляется на подложке путем выборки или комбинации отдельных элементов
30
в которых нужный символ или символы получаются комбинацией отдельных элементов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
334
многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов
335
полевых транзисторов
336
с изолированным затвором
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
28
содержащие компоненты с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части
32
с компонентами, специально предназначенными для излучения световых колебаний, например дисплеи с плоским экраном с использованием органических светоизлучающих диодов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
51
Приборы на твердом теле с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства, специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей
50
специально предназначенные для светового излучения, например органические светоизлучающие диоды (OLED) или полимерные светоизлучающие устройства (PLED)
Заявители:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Изобретатели:
神長正美 JINTYOU, Masami; --
黒崎大輔 KUROSAKI, Daisuke; --
大野正勝 OHNO, Masakatsu; --
肥塚純一 KOEZUKA, Junichi; JP
Дата приоритета:
2017-16813701.09.2017JP
Название (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 半導体装置、及び表示装置
Реферат:
(EN) Provided is a highly reliable semiconductor device. A semiconductor device in which a second insulating layer is located above a first insulating layer, a semiconductor layer is located between the first insulating layer and the second insulating layer, a third insulating layer is located above the second insulating layer, a fourth insulating layer is located above the third insulating layer, a first conductive layer is located between the third insulating layer and the fourth insulating layer and includes a region that overlaps the semiconductor layer, the third insulating layer includes a region that contacts a lower surface of the first conductive layer and a region that contacts the fourth insulating layer, the fourth insulating layer contacts an upper surface and a side surface of the first conductive layer, a fifth insulating layer contacts an upper surface and a side surface of the semiconductor layer and has a first opening and a second opening in a region that overlaps the semiconductor layer but does not overlap the first conductive layer, a second conductive layer and a third conductive layer are electrically connected to the semiconductor layer at the first opening and the second opening, respectively, the third and fifth insulating layers include a metal as well as oxygen or nitrogen, and a sixth insulating layer has a region that contacts an upper surface and a side surface of the fifth insulating layer and a region that contacts the first insulating layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur hautement fiable. Un dispositif à semi-conducteur dans lequel une seconde couche isolante est située au-dessus d'une première couche isolante, une couche semi-conductrice est située entre la première couche isolante et la seconde couche isolante, une troisième couche isolante est située au-dessus de la seconde couche isolante, une quatrième couche isolante est située au-dessus de la troisième couche isolante, une première couche conductrice est située entre la troisième couche isolante et la quatrième couche isolante et comprend une région qui chevauche la couche semi-conductrice, la troisième couche isolante comprend une région qui entre en contact avec une surface inférieure de la première couche conductrice et une région qui est en contact avec la quatrième couche isolante, la quatrième couche isolante entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la première couche conductrice, une cinquième couche isolante entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la couche semi-conductrice et a une première ouverture et une seconde ouverture dans une région qui chevauche la couche semi-conductrice mais ne chevauche pas la première couche conductrice, une seconde couche conductrice et une troisième couche conductrice sont électroconnectées à la couche semi-conductrice au niveau de la première ouverture et de la seconde ouverture, respectivement, les troisième et cinquième couches isolantes comprennent un métal ainsi que de l'oxygène ou de l'azote, et une sixième couche isolante a une région qui entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la cinquième couche isolante et une région qui est en contact avec la première couche isolante.
(JA) 要約書 信頼性の高い半導体装置を提供する。 第2の絶縁層は第1の絶縁層上に位置し、半導体層は第1の絶縁層と第2の絶縁層との間に位置し、 第3の絶縁層は第2の絶縁層上に位置し、 第4の絶縁層は第3の絶縁層上に位置し、 第1の導電層は 半導体層と重なる領域を有し、 かつ第3の絶縁層と第4の絶縁層との間に位置し、 第3の絶縁層は第 1の導電層の下面に接する領域と、 第4の絶縁層と接する領域とを有し、 第4の絶縁層は第1の導電 層の上面及び側面に接し、 第5の絶縁層は半導体層の上面及び側面に接し、 第5の絶縁層は半導体層 と重なり、 かつ第1の導電層と重ならない領域に第1の開口及び第2の開口を有し、 第2の導電層及 び第3の導電層はそれぞれ第1の開口及び第2の開口において半導体層と電気的に接続され、第3乃 至第5の絶縁層は金属と、 酸素又は窒素とを有し、 第6の絶縁層は第5の絶縁層の上面及び側面に接 する領域と、第1の絶縁層と接する領域とを有する半導体装置とする。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)