Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019043478) PROTECTION OF LOW TEMPERATURE ISOLATION FILL
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2019/043478 № международной заявки: PCT/IB2018/055863
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 03.08.2018
МПК:
H01L 29/06 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
02
полупроводниковые подложки
06
отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
Заявители:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District, Beijing 100101, CN (MG)
Изобретатели:
STRANE, Jay, William; US
SADANA, Devendra; US
BELYANSKY, Michael; US
GUO, Dechao; US
CONTI, Richard; US
Агент:
WILLIAMS, Julian; GB
Дата приоритета:
15/688,15428.08.2017US
Название (EN) PROTECTION OF LOW TEMPERATURE ISOLATION FILL
(FR) PROTECTION DE REMPLISSAGE D'ISOLATION À BASSE TEMPÉRATURE
Реферат:
(EN) A semiconductor structure includes a plurality of semiconductor fins on an upper surface of a semiconductor substrate. The semiconductor fins spaced apart from one another by a respective trench to define a fin pitch. A multi-layer electrical isolation region is contained in each trench. The multi-layer electrical isolation region includes an oxide layer and a protective layer. The oxide layer includes a first material on an upper surface of the semiconductor substrate. The protective layer includes a second material on an upper surface of the oxide layer. The second material is different than the first material. The first material has a first etch resistance and the second material has a second etch resistance that is greater than the first etch resistance.
(FR) L'invention concerne une structure semi-conductrice comprenant une pluralité d'ailettes semi-conductrices sur une surface supérieure d'un substrat semi-conducteur. Les ailettes semi-conductrices sont espacées les unes des autres par une tranchée respective pour définir un pas d'ailette. Une région d'isolation électrique multicouche est contenue dans chaque tranchée. La région d'isolation électrique multicouche comprend une couche d'oxyde et une couche de protection. La couche d'oxyde comprend un premier matériau sur une surface supérieure du substrat semi-conducteur. La couche de protection comprend un second matériau sur une surface supérieure de la couche d'oxyde. Le second matériau est différent du premier matériau. Le premier matériau présente une première résistance à la gravure et le second matériau présente une seconde résistance à la gravure qui est plus grande que la première résistance à la gravure.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)