Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019042894) SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2019/042894 № международной заявки: PCT/EP2018/072906
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 24.08.2018
МПК:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/04 (2010.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
02
характеризующиеся полупроводниковыми телами
04
со структурой с квантовыми эффектами или сверхрешеткой, например с туннельным переходом
06
в светоизлучающей области, например структуры с квантовым ограничением или туннельным барьером
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
02
характеризующиеся полупроводниковыми телами
14
со структурой, управляющей переносом носителей зарядов, например сильнолегированный полупроводниковый слой или структура с блокировкой тока
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
02
характеризующиеся полупроводниковыми телами
26
материалы светоизлучающей области
30
содержащие только элементы III группы и V группы периодической системы
32
содержащие азот
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
02
характеризующиеся полупроводниковыми телами
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
02
характеризующиеся полупроводниковыми телами
04
со структурой с квантовыми эффектами или сверхрешеткой, например с туннельным переходом
Заявители:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Изобретатели:
DRAGO, Massimo; DE
FREY, Alexander; DE
HERTKORN, Joachim; DE
KOSLOW, Ingrid; DE
Агент:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Дата приоритета:
10 2017 120 302.804.09.2017DE
Название (DE) HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS
(EN) SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY
(FR) CORPS SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR
Реферат:
(DE) Halbleiterkörper (10) basierend auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (100), bei dem - der p-leitende Bereich (100) eine Barrierezone (110) und eine Kontaktzone (120) aufweist, wobei - die Barrierezone (110) eine erste Magnesiumkonzentration (M110) und eine erste Aluminiumkonzentration (A110) aufweist, - die Kontaktzone (120) eine zweite Magnesiumkonzentration (M120) und eine zweite Aluminiumkonzentration (A120) aufweist, - die erste Aluminiumkonzentration (A110) größer als die zweite Aluminiumkonzentration (A120) ist, - die erste Magnesiumkonzentration (M110) kleiner als die zweite Magnesiumkonzentration (M120) ist, - die Kontaktzone (120) eine nach außen freiliegende Fläche (10a) des Halbleiterkörpers (10) bildet, und - die Barrierezone (110) an die Kontaktzone (120) angrenzt.
(EN) The invention relates to a semiconductor body (10) based on a nitride compound semiconductor material, having a p-conducting region (100), in which the p-conductive region (100) has a barrier zone (110) and a contact zone (120). The barrier zone (110) has a first magnesium concentration (M110) and a first aluminum concentration (A110), and the contact zone (120) has a second magnesium concentration (M120) and a second aluminum concentration (A120). The first aluminum concentration (A110) is greater than the second aluminum concentration (A120), and the first magnesium concentration (M110) is smaller than the second magnesium concentration (M120). The contact zone (120) forms an outwardly exposed surface (10a) of the semiconductor body (10), and the barrier zone (110) adjoins the contact zone (120).
(FR) L’invention concerne un corps semi-conducteur (10) à base d’un matériau semi-conducteur composé de nitrure pourvu d’une zone conductrice de type p (100), tel que - la zone conductrice de type p (100) comporte une zone de barrière (110) et une zone de contact (120), - la zone de barrière (110) présentant une première concentration en magnésium (M110) et une première concentration en aluminium (A110), - la zone de contact (120) présentant une deuxième concentration en magnésium (M120) et une deuxième concentration en aluminium (A120), - la première concentration en aluminium (A110) étant supérieure à la deuxième concentration en aluminium (A120), - la première concentration en magnésium (M110) étant inférieure à la deuxième concentration en magnésium (M120), - la zone de contact (120) constituant une surface libre vers l’extérieur (10a) du corps semi-conducteur (10), et - la zone de barrière (110) étant adjacente à la zone de contact (120).
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Немецкий (DE)
Язык подачи: Немецкий (DE)