Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019042662) SEMICONDUCTOR PHOTOMULTIPLIER WITH IMPROVED OPERATING VOLTAGE RANGE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/042662 № международной заявки: PCT/EP2018/070088
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 25.07.2018
МПК:
G01T 1/24 (2006.01)
G ФИЗИКА
01
Измерение; испытание
T
Измерение ядерных излучений или рентгеновских лучей
1
Измерение рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного и космического излучений
16
измерение интенсивности излучения
24
с помощью полупроводниковых детекторов
Заявители:
SENSL TECHNOLOGIES LTD [IE/IE]; Building 6800, Avenue 6000 Cork Airport Business Park Cork, T12 CDF7, IE
Изобретатели:
DALY, Paul Malachy; IE
JACKSON, John Carlton; IE
Агент:
MANITZ FINSTERWALD PATENT- UND RECHTSANWALTSPARTNERSCHAFT MBB; Postfach 31 02 20 80102 München, DE
Дата приоритета:
15/689,13529.08.2017US
Название (EN) SEMICONDUCTOR PHOTOMULTIPLIER WITH IMPROVED OPERATING VOLTAGE RANGE
(FR) PHOTOMULTIPLICATEUR À SEMI-CONDUCTEURS À PLAGE DE TENSION DE FONCTIONNEMENT AMÉLIORÉE
Реферат:
(EN) The present disclosure relates to a semiconductor photomultiplier (100) comprising an array of interconnected microcells; wherein the array comprises at least a first type of microcell (125) having a first junction region of a first geometric shape; and a second type of microcell (225) having a second junction region of a second geometric shape.
(FR) La présente invention concerne un photomultiplicateur à semi-conducteurs (100) comprenant un réseau de microcellules interconnectées; le réseau comprenant au moins un premier type de microcellules (125) présentant une première région de jonction d'une première forme géométrique; et un second type de microcellules (225) présentant une seconde région de jonction d'une seconde forme géométrique.
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)