Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019042118) METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/042118 № международной заявки: PCT/CN2018/100236
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 13.08.2018
МПК:
H01L 21/335 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
334
многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов
335
полевых транзисторов
Заявители:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No.5 Yiheyuan Rd., Haidian District Beijing 100871, CN
Изобретатели:
MENG, Hu; CN
LIANG, Xuelei; CN
XIA, Jiye; CN
TIAN, Boyuan; CN
DONG, Guodong; CN
HUANG, Qi; CN
Агент:
TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Дата приоритета:
201710774682.531.08.2017CN
Название (EN) METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU, ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Реферат:
(EN) A method of fabricating a thin film transistor. The method includes selecting a nano-structure material having a monotonic relationship between a threshold voltage and a channel length when the nano-structure material is formed as a channel part in a thin film transistor; forming an active layer using the nano-structure material; determining a nominal channel length of a channel part of the thin film transistor based on the monotonic relationship and a reference threshold voltage so that the thin film transistor is formed to have a nominal threshold voltage; and forming a source electrode and a drain electrode thereby forming the channel part in the active layer having the nominal channel length.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces. Le procédé consiste à sélectionner un matériau de nano-structure ayant une relation monotone entre une tension seuil et une longueur de canal lorsque le matériau de nano-structure est formé en tant que partie de canal dans un transistor à couches minces ; à former une couche active à l'aide du matériau de nano-structure ; à déterminer une longueur de canal nominale d'une partie de canal du transistor à couches minces sur la base de la relation monotone et d'une tension seuil de référence de sorte que le transistor à couches minces est formé pour avoir une tension seuil nominale ; et à former une électrode de source et une électrode de drain, formant ainsi la partie de canal dans la couche active ayant la longueur de canal nominale.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)