Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019041248) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/041248 № международной заявки: PCT/CN2017/099983
Дата публикации: 07.03.2019 Дата международной подачи: 31.08.2017
МПК:
H01L 29/786 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
786
тонкопленочные транзисторы
Заявители:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Изобретатели:
LIU, Wei; CN
Агент:
TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Дата приоритета:
Название (EN) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU, APPAREIL D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Реферат:
(EN) Provided is a thin film transistor. The thin film transistor includes a first source electrode (20) and a first drain electrode (30) spaced apart from each other; an active layer (10) on the first source electrode (20) and the first drain electrode (30), the active layer (10) having a channel part (1) between the first source electrode (20) and the first drain electrode (30), a source electrode contact part (2a) in contact with the first source electrode (20), and a drain electrode contact part (3a) in contact with the first drain electrode (30); a second source electrode (21) on a side of the source electrode contact part (2a) distal to the first source electrode (20), the second source electrode (21) being electrically connected to the first source electrode (20);and a second drain electrode (31) on a side of the drain electrode contact part (3a) distal to the first drain electrode (30), the second drain electrode (31)being electrically connected to the first drain electrode (30).
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces. Le transistor à couches minces comprend une première électrode de source (20) et une première électrode de drain (30) espacées l'une de l'autre; une couche active (10) sur la première électrode de source (20) et la première électrode de drain (30), la couche active (10) ayant une partie de canal (1) entre la première électrode de source (20) et la première électrode de drain (30), une partie de contact d'électrode de source (2a) en contact avec la première électrode de source (20), et une partie de contact d'électrode de drain (3a) en contact avec la première électrode de drain (30); une seconde électrode de source (21) sur un côté de la partie de contact d'électrode de source (2a) distal par rapport à la première électrode de source (20), la seconde électrode de source (21) étant électroconnectée à la première électrode de source (20); et une seconde électrode de drain (31) sur un côté de la partie de contact d'électrode de drain (3a) distal par rapport à la première électrode de drain (30), la seconde électrode de drain (31) étant électroconnectée à la première électrode de drain (30).
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)