Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019034504) METHOD FOR ACTUATING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR SWITCH, IN PARTICULAR IN A COMPONENT OF A MOTOR VEHICLE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2019/034504 № международной заявки: PCT/EP2018/071576
Дата публикации: 21.02.2019 Дата международной подачи: 09.08.2018
МПК:
H03K 17/0812 (2006.01) ,H03K 17/16 (2006.01) ,H03K 17/18 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
K
Импульсная техника
17
Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов
08
модификации для защиты коммутирующей цепи от сверхтока или перенапряжения
081
без обратной связи от выходной схемы к схеме управления
0812
с использованием пороговых устройств в схеме управления
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
K
Импульсная техника
17
Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов
16
модификации для устранения мешающих напряжений или токов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
K
Импульсная техника
17
Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов
18
модификации для индикации коммутационного состояния
Заявители:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Изобретатели:
BAUMHOEFER, Thorsten; DE
ROGOV, Rostislav; DE
Дата приоритета:
10 2017 214 217.015.08.2017DE
Название (DE) VERFAHREN ZUM ANSTEUERN MINDESTENS EINES HALBLEITER-SCHALTERS, INSBESONDERE IN EINEM BAUTEIL EINES KRAFTFAHRZEUGS
(EN) METHOD FOR ACTUATING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR SWITCH, IN PARTICULAR IN A COMPONENT OF A MOTOR VEHICLE
(FR) PROCÉDÉ D’ACTIVATION D’AU MOINS UN COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR, EN PARTICULIER DANS UN COMPOSANT D’UN VÉHICULE AUTOMOBILE
Реферат:
(DE) Verfahren zum Ansteuern mindestens eines Halbleiter-Schalters insbesondere in einem Bauteil eines Kraftfahrzeugs, wobei der mindestens eine Halbleiter-Schalter mit einer Steuerungsspannung (1) gemäß der folgenden Verfahrensschritte geschaltet werden kann: a1) Vorgeben der Steuerungsspannung (1) in einem Toleranzbereich (2), a2) Überwachen, ob eine tatsächlich an dem mindestens einen Halbleiter-Schalter anliegende Steuerungsspannung (1) mindestens einen Grenzwert (4,5) überschreitet, wobei an mindestens einem Kontrollzeitpunkt zumindest der folgende Verfahrensschritt durchgeführt wird: b1) Ermitteln einer Differenz zwischen der tatsächlich an dem mindestens einen Halbleiter-Schalter anliegenden Steuerungsspannung (1) und dem mindestens einen Grenzwert, wobei die gemäß Schritt al) vorgegebene Steuerungsspannung (1) nach dem mindestens einen Kontrollzeitpunkt unter Verwendung des Ergebnisses von Schritt b1) manipuliert wird.
(EN) The invention relates to a method for actuating at least one semiconductor switch, in particular in a component of a motor vehicle. The at least one semiconductor switch can be switched with a control voltage (1) according to the following method steps: a1) specifying the control voltage (1) in a tolerance range (2) and a2) monitoring whether a control voltage (1) actually being applied to the at least one semiconductor switch exceeds at least one threshold (4, 5), wherein at least the following method step is carried out at at least one control time: b1) ascertaining a difference between the control voltage (1) actually being applied to the at least one semiconductor switch and the at least one threshold, the control voltage (1) specified according to step a1) being manipulated according to the at least one control time using the result from step b1).
(FR) L’invention concerne un procédé d’activation d’au moins un commutateur à semi-conducteur, en particulier dans un composant d’un véhicule automobile, selon lequel le ou les commutateurs à semi-conducteur peuvent être commutés par une tension de commande (1) selon les étapes suivantes : a1) spécification de la tension de commande (1) dans une plage de tolérance (2), a2) surveillance permettant de savoir si une tension de commande (1) effectivement présente au niveau du ou des commutateurs à semi-conducteur dépasse au moins une valeur limite (4, 5), au moins l'étape suivante étant mise en œuvre à au moins un instant de contrôle : b1) détermination d’une différence entre la tension de commande (1) effectivement présente au niveau du ou des commutateurs à semi-conducteur et la ou les valeurs limites, la tension de commande (1) spécifiée à l’étape a1) étant modifiée après le ou les instants de contrôle en utilisant le résultat de l’étape b1).
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Немецкий (DE)
Язык подачи: Немецкий (DE)