Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019032313) METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONICS USING DEVICE-LAST OFR DEVICE-ALMOST LAST PLACEMENT
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/032313 № международной заявки: PCT/US2018/044101
Дата публикации: 14.02.2019 Дата международной подачи: 27.07.2018
МПК:
H01L 23/13 (2006.01) ,H01L 23/14 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
12
крепежные детали, например несъемные изоляционные подложки
13
отличающиеся формой
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
12
крепежные детали, например несъемные изоляционные подложки
14
отличающиеся материалом или его электрическими параметрами
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
48
приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода или вводы
Заявители:
GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road Schenectady, NY 12345, US
Изобретатели:
KAPUSTA, Christopher, James; US
FILLION, Raymond, Albert; US
TUOMINEN, Risto Ilkka, Sakari; JP
NAGARKAR, Kaustubh, Ravindra; US
Агент:
DIMAURO, Peter, T.; US
KRAMER, John, A.; US
ZHANG, Douglas, D.; US
WINTER, Catherine, J.; US
MIDGLEY, Stephen, G.; US
Дата приоритета:
15/670,42307.08.2017US
Название (EN) METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONICS USING DEVICE-LAST OFR DEVICE-ALMOST LAST PLACEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE UTILISANT UN PLACEMENT DE DERNIER DISPOSITIF POUR PRESQUE DERNIER DISPOSITIF
Реферат:
(EN) A method of manufacturing a multi-layer electronics package includes attaching a base insulating substrate to a frame having an opening therein and such that the frame is positioned above and/or below the base insulating substrate to provide support thereto. A first conductive wiring layer is applied on the first side of the base insulating substrate, and vias are formed in the base insulating substrate. A second conductive wiring layer is formed on the second side of the base insulating substrate that covers the vias and the exposed portions of the first conductive wiring layer and at least one additional insulating substrate is bonded to the base insulating substrate. Vias are formed in each additional insulating substrate and an additional conductive wiring layer is formed on each of the additional insulating substrate. The described build-up forms a multilayer interconnect structure, with the frame providing support for this build-up.
(FR) Un procédé de fabrication selon l'invention d'un boîtier électronique multicouche comprend la fixation d'un substrat isolant de base à un cadre ayant une ouverture de telle sorte que le cadre est positionné au-dessus et/ou au-dessous du substrat isolant de base pour servir de support à celui-ci. Une première couche de câblage conductrice est appliquée sur le premier côté du substrat isolant de base, et des trous d'interconnexion sont formés dans le substrat isolant de base. Une seconde couche de câblage conductrice est formée sur le second côté du substrat isolant de base qui recouvre les trous d'interconnexion et les parties exposées de la première couche de câblage conductrice, et au moins un substrat isolant supplémentaire est lié au substrat isolant de base. Des trous d'interconnexion sont formés dans chaque substrat isolant supplémentaire et une couche de câblage conductrice supplémentaire est formée sur chaque substrat isolant supplémentaire. L'accumulation décrite forme une structure d'interconnexion multicouche, le cadre fournissant un support pour cette accumulation.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)