Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019031036) ESD PROTECTION DEVICE AND SIGNAL TRANSMISSION LINE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/031036 № международной заявки: PCT/JP2018/021243
Дата публикации: 14.02.2019 Дата международной подачи: 01.06.2018
МПК:
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H02H 7/20 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
77
изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее
78
с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов
82
для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов
822
полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
04
с подложкой из полупроводника
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
04
с подложкой из полупроводника
06
содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
02
Производство, преобразование и распределение электрической энергии
H
Схемы защиты электрических линий, машин и приборов
7
Схемы защиты для конкретных типов электрических машин и аппаратов или для секционированной защиты кабельных и воздушных сетей, осуществляющие автоматическую коммутацию в случае недопустимого отклонения от нормальных рабочих параметров (конструктивное сопряжение защитных устройств с конкретными машинами или аппаратами и их защита, без автоматического отключения, см. в подклассе, соответствующем этой машине или этому аппарату)
20
схемы защиты электронной аппаратуры
Заявители:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Изобретатели:
植木 紀行 UEKI Noriyuki; JP
Агент:
特許業務法人 楓国際特許事務所 KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 大阪府大阪市中央区農人橋1丁目4番34号 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011, JP
Дата приоритета:
2017-15511910.08.2017JP
Название (EN) ESD PROTECTION DEVICE AND SIGNAL TRANSMISSION LINE
(FR) DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES ET LIGNE DE TRANSMISSION DE SIGNAL
(JA) ESD保護デバイス、および、信号伝送線路
Реферат:
(EN) An ESD protection device (10) is provided with: a semiconductor substrate (20) having a first main surface (201); terminal electrodes (41, 42) formed on the first main surface (201) and a terminal electrode (43) connected to the ground; and a wiring electrode (51) that connects the terminal electrodes (41, 42) and constitutes a part of a main line. The semiconductor substrate has a rectangular parallelepiped shape in a plan view. A first semiconductor area connected to the wiring electrode (51), a second semiconductor area connected to a third terminal electrode, and a third semiconductor area are formed on the semiconductor substrate (20). The first semiconductor area and the second semiconductor area are aligned along short sides of the semiconductor substrate (20), and are electrically connected to each other via the third semiconductor area formed along the short sides.
(FR) L'invention concerne un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) comprenant : un substrat semi-conducteur (20) ayant une première surface principale (201); des électrodes de borne (41, 42) formées sur la première surface principale (201) et une électrode de borne (43) connectée à la masse; et une électrode de câblage (51) qui connecte les électrodes de borne (41, 42) et constitue une partie d'une ligne principale. Le substrat semi-conducteur a une forme parallélépipédique rectangulaire dans une vue en plan. Une première zone semi-conductrice connectée à l'électrode de câblage (51), une seconde zone semi-conductrice connectée à une troisième électrode de borne et une troisième zone semi-conductrice sont formées sur le substrat semi-conducteur (20). La première zone semi-conductrice et la seconde zone semi-conductrice sont alignées le long de côtés courts du substrat semi-conducteur (20), et sont électroconnectées l'une à l'autre par l'intermédiaire de la troisième zone semi-conductrice formée le long des côtés courts.
(JA) ESD保護デバイス(10)は、第1主面(201)を有する半導体基板(20)と、第1主面(201)に形成された端子電極(41、42)、および、グランドに接続される端子電極(43)と、端子電極(41、42)とを接続し、主線路の一部を構成する配線電極(51)と、を備える。半導体基板は、平面視で直方体形状である。半導体基板(20)には、配線電極(51)に接続される第1の半導体領域と、第3端子電極に接続される第2の半導体領域と、第3の半導体領域とが形成されている。第1の半導体領域と第2の半導体領域とが、半導体基板(20)の短辺に沿って並ぶとともに、短辺に沿って形成される第3の半導体領域を介して、電気的に接続される。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)