Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019031029) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT PRODUCTION METHOD
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2019/031029 № международной заявки: PCT/JP2018/020598
Дата публикации: 14.02.2019 Дата международной подачи: 29.05.2018
МПК:
H01L 31/18 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/50 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
31
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
18
способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
16
Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП)
44
характеризуемые способом покрытия
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
16
Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП)
44
характеризуемые способом покрытия
50
путем использования электрических разрядов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
20
нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
205
разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
30
обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в
31
с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии ; последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
67
устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми или электронными устройствами на твердом теле при их изготовлении или обработке; устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми пластинами при изготовлении или обработке полупроводниковых или электрических устройств на твердом теле или их компонентов
683
для поддержания или захвата
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
31
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
04
предназначенные для работы в качестве преобразователей
06
характеризуемые, по меньшей мере, одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером
072
потенциальные барьеры только типа барьеров с p-n гетероструктурным переходом
0745
содержащие AIVBIV гетероструктурный переход, например Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC солнечные батареи
0747
содержащие гетероструктурный переход из кристаллических или аморфных материалов, например гетероструктурный переход с собственным тонким слоем или HIT® солнечные батареи
Заявители:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島2-3-18 2-3-18, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Изобретатели:
福田 将典 FUKUDA, Masanori; JP
波内 俊文 NAMIUCHI, Toshifumi; JP
松田 高洋 MATSUDA, Takahiro; JP
Агент:
特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 東京都千代田区六番町3 六番町SKビル5階 Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085, JP
Дата приоритета:
2017-15443409.08.2017JP
2017-15443509.08.2017JP
2017-15443609.08.2017JP
Название (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子の製造方法
Реферат:
(EN) The present invention provides a production method for a photoelectric conversion element having a first and second main surface and including a first thin film formed on the first main surface side of the semiconductor substrate and a second thin film formed on the second main surface side of the semiconductor substrate, the method comprising a first disposition step of disposing, at a first film-forming position (81) in a first film-forming room (61), a first semiconductor substrate whereon no first thin film and no second thin film have been formed, a second disposition step of disposing, at a second film-forming position (82) in the first film-forming room (61), a second semiconductor substrate having at least a first thin film formed on the first main surface side and no second thin film formed on the second main surface side, and a first film-forming step of forming, in the first film-forming room (61) and within the same time period, the first thin film on the first main surface side of the first semiconductor substrate and the second thin film on the second main surface side of the second semiconductor substrate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de conversion photoélectrique possédant une première et une seconde surface principale et comprenant un premier film mince formé du côté première surface principale du substrat semi-conducteur et un second film mince formé du côté seconde surface principale du substrat semi-conducteur, le procédé comprenant une première étape de disposition consistant à disposer, au niveau d'une première position (81) de formation de film dans une première salle (61) de formation de film, un premier substrat semi-conducteur sur lequel aucun premier film mince et aucun second film mince n'ont été formés, une seconde étape de disposition consistant à disposer, au niveau d'une seconde position (82) de formation de film dans la première salle (61) de formation de film, un second substrat semi-conducteur possédant au moins un premier film mince formé du côté première surface principale et aucun second film mince formé du côté seconde surface principale, et une première étape de formation de film consistant à former, dans la première salle (61) de formation de film et dans la même période, le premier film mince du côté première surface principale du premier substrat semi-conducteur et le second film mince du côté seconde surface principale du second substrat semi-conducteur.
(JA) 本開示の光電変換素子の製造方法は、第1、第2の主面を有し、半導体基板の第1の主面側に形成された第1の薄膜と、半導体基板の前記第2の主面側に形成された第2の薄膜と、を含む光電変換素子の製造方法であって、第1の薄膜及び第2の薄膜が形成されていない第1の半導体基板を、第1の製膜室(61)における第1の製膜位置(81)に配置する第1の配置ステップと、第1の主面側には少なくとも第1の薄膜が形成され、第2の主面側には第2の薄膜が形成されていない第2の半導体基板を、第1の製膜室(61)における第2の製膜位置(82)に配置する第2の配置ステップと、第1の製膜室(61)において、第1の半導体基板の第1の主面側には第1の薄膜を、第2の半導体基板の第2の主面側には第2の薄膜を、同一期間内に形成する第1の製膜ステップと、を含む。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)