Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019029237) WAFER BONDING METHOD AND STRUCTURE THEREOF
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/029237 № международной заявки: PCT/CN2018/088954
Дата публикации: 14.02.2019 Дата международной подачи: 30.05.2018
МПК:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/50 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
50
сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп
Заявители:
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Room 7018, No.18, Huaguang Road, Guandong Science and Technology Industrial Park East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430074, CN
Изобретатели:
GUO, Shuai; CN
WANG, Jiawen; CN
DING, Taotao; CN
XING, Ruiyuan; CN
WANG, Xiaojin; CN
WANG, Jiayou; CN
LI, Chunlong; CN
Агент:
NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.; 10th Floor, Tower C, Beijing Global Trade Center 36 North Third Ring Road East, Dongcheng District Beijing 100013, CN
Дата приоритета:
201710681131.410.08.2017CN
Название (EN) WAFER BONDING METHOD AND STRUCTURE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON DE TRANCHE ET STRUCTURE ASSOCIÉE
Реферат:
(EN) Embodiments of wafer bonding method and structures thereof are disclosed. The wafer bonding method can include performing a plasma activation treatment on a front surface of a first and a front surface of a second wafer; performing a silica sol treatment on the front surfaces of the first and the second wafers; performing a preliminary bonding process of the first and second wafer; and performing a heat treatment of the first and the second wafers to bond the front surface of the first wafer to the front surface of the second wafers.
(FR) L'invention concerne des modes de réalisation d'un procédé de liaison de tranches et des structures de celles-ci. Le procédé de liaison de tranche peut comprendre la réalisation d'un traitement d'activation de plasma sur une surface avant d'une première et d'une surface avant d'une seconde tranche; la réalisation d'un traitement de sol de silice sur les surfaces avant des première et seconde tranches; la réalisation d'un processus de liaison préliminaire de la première et de la seconde tranche; et la réalisation d'un traitement thermique des première et seconde tranches pour lier la surface avant de la première tranche à la surface avant des secondes tranches.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)