Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019005168) PHASE-CHANGE MATERIAL BASED SELECTOR FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES AND THEIR METHODS OF FABRICATION
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/005168 № международной заявки: PCT/US2017/040511
Дата публикации: 03.01.2019 Дата международной подачи: 30.06.2017
МПК:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
45
Приборы на твердом теле, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, не имеющие потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера, например диэлектрические триоды; приборы с эффектом Овшинского; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки вышеуказанных приборов или их частей
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
43
Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей
10
выбор материалов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
43
Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей
12
способы или устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов или их частей
Заявители:
KARPOV, Elijah V. [US/US]; US
KENCKE, David L. [US/US]; US
MAJHI, Prashant [IN/US]; US
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Изобретатели:
KARPOV, Elijah V.; US
KENCKE, David L.; US
MAJHI, Prashant; US
DOYLE, Brian S.; US
Агент:
BRASK, Justin, K.; US
Дата приоритета:
Название (EN) PHASE-CHANGE MATERIAL BASED SELECTOR FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) SÉLECTEUR À BASE DE MATÉRIAU À CHANGEMENT DE PHASE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE BIPOLAIRE BASSE TENSION ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Реферат:
(EN) A memory device includes a wordline disposed above a substrate and a selector element disposed above the wordline, where the selector element includes a phase change material. The memory device further includes a bipolar memory element dsiposed above the wordline, a conductive electrode between the selector element and the bipolar memory element and a bitline diposed above the wordline.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire qui comprend une ligne de mots disposée au-dessus d'un substrat et un élément de sélecteur disposé au-dessus de la ligne de mots, l'élément de sélecteur comprenant un matériau à changement de phase. Le dispositif de mémoire comprend en outre un élément de mémoire bipolaire disposé au-dessus de la ligne de mots, une électrode conductrice entre l'élément de sélecteur et l'élément de mémoire bipolaire, et une ligne de bits disposée au-dessus de la ligne de mots.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)