Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019003045) STORAGE DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/003045 № международной заявки: PCT/IB2018/054482
Дата публикации: 03.01.2019 Дата международной подачи: 19.06.2018
МПК:
G11C 11/4091 (2006.01) ,G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 7/06 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
G ФИЗИКА
11
Накопление информации
C
Запоминающие устройства статического типа
11
Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них
21
с использованием электрических элементов
34
с применением полупроводниковых приборов
40
транзисторов
401
образующих ячейки, для которых необходимо восстановление или регенерация заряда, т.е. динамические ячейки
4063
вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания или синхронизации
407
вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания или синхронизации ячеек памяти с полевым эффектом
409
схемы записи-считывания (R-W)
4091
усилители считывания или считывания/восстановления или соответствующая электрическая схема считывания, например для предварительного заряжения, стабилизации, коррекции или разделения разрядных линий связи
G ФИЗИКА
11
Накопление информации
C
Запоминающие устройства статического типа
5
Конструктивные элементы запоминающих устройств, отнесенных к группе
02
размещение элементов памяти, например в форме матриц
G ФИЗИКА
11
Накопление информации
C
Запоминающие устройства статического типа
7
Устройства для записи или считывания информации в цифровых запоминающих устройствах
06
усилители считывания; ассоциативные схемы
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
77
изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее
78
с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов
82
для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов
822
полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии
8232
технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах
8234
технология изготовления интегральных схем на MIS транзисторах
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
77
изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее
78
с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов
82
для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов
822
полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии
8232
технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах
8234
технология изготовления интегральных схем на MIS транзисторах
8239
структуры памяти
8242
динамические структуры памяти со случайным доступом (динамические ЗУПВ)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
04
с подложкой из полупроводника
06
содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
04
с подложкой из полупроводника
10
содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией
105
компоненты с полевым эффектом
108
структуры динамических запоминающих устройств с произвольной выборкой
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
786
тонкопленочные транзисторы
Заявители:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Изобретатели:
大貫達也 ONUKI, Tatsuya; JP
長塚修平 NAGATSUKA, Shuhei; JP
Дата приоритета:
2017-12501727.06.2017JP
2017-14883901.08.2017JP
Название (EN) STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 記憶装置
Реферат:
(EN) Provided is a storage device with a fast operating speed. This storage device is provided with a first and a second memory cell, a first and a second bit line, a first and a second switch, and a sense amplifier. The sense amplifier is provided with a first node and a second node. The first memory cell is electrically connected to the first node via the first bit line and the first switch, and the second memory cell is electrically connected to the second node via the second bit line and the second switch. The sense amplifier amplifies the potential difference between the first node and the second node. The first memory cell and the second memory cell are each provided with a transistor which includes an oxide semiconductor in the channel formation region.
(FR) L'invention concerne un dispositif de stockage comportant une vitesse de fonctionnement rapide. Ce dispositif de stockage est pourvu d'une première et d'une seconde cellule de mémoire, d'une première et d'une seconde ligne de bits, d'un premier et d'un second commutateur, et d'un amplificateur de détection. L'amplificateur de détection est pourvu d'un premier nœud et d'un second nœud. La première cellule de mémoire est connectée électriquement au premier noeud par l'intermédiaire de la première ligne de bits et du premier commutateur, et la seconde cellule de mémoire est connectée électriquement au second noeud par l'intermédiaire de la seconde ligne de bits et du second commutateur. L'amplificateur de détection amplifie la différence de potentiel entre le premier noeud et le second noeud. La première cellule de mémoire et la seconde cellule de mémoire sont chacune pourvues d'un transistor qui comprend un semi-conducteur d'oxyde dans la région de formation de canal.
(JA) 動作速度の速い記憶装置を提供する。 第1および第2メモリセルと、 第1および第2ビット線と、 第1および第2スイッチと、 センスアン プを有する記憶装置である。 センスアンプは第1ノードおよび第2ノードを有する。 第1メモリセル は、第1ビット線および第1スイッチを介して、第1ノードに電気的に接続され、第2メモリセルは、 第2ビット線および第2スイッチを介して、 第2ノードに電気的に接続される。 センスアンプは、 第 1ノードと第2ノードの電位差を増幅する。 第1メモリセルおよび第2メモリセルは、 チャネル形成 領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有する。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)