Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018233950) SEMICONDUCTOR CHIP HAVING INTERNAL TERRACE-LIKE STEPS, AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CHIP
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2018/233950 № международной заявки: PCT/EP2018/062978
Дата публикации: 27.12.2018 Дата международной подачи: 17.05.2018
МПК:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/24 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/16 (2010.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
02
характеризующиеся полупроводниковыми телами
14
со структурой, управляющей переносом носителей зарядов, например сильнолегированный полупроводниковый слой или структура с блокировкой тока
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
02
характеризующиеся полупроводниковыми телами
20
с особенной формой, например искривленной или усеченной подложкой
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
36
характеризуемые электродами
38
особой формы
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
02
характеризующиеся полупроводниковыми телами
20
с особенной формой, например искривленной или усеченной подложкой
24
светоизлучающей области, например не плоский переход
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
02
характеризующиеся полупроводниковыми телами
26
материалы светоизлучающей области
30
содержащие только элементы III группы и V группы периодической системы
32
содержащие азот
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
02
характеризующиеся полупроводниковыми телами
16
с особенной структурой кристалла или ориентацией, например поликристаллической, аморфной или пористой
Заявители:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Изобретатели:
TONKIKH, Alexander; DE
Агент:
ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 - EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Дата приоритета:
10 2017 113 383.619.06.2017DE
Название (EN) SEMICONDUCTOR CHIP HAVING INTERNAL TERRACE-LIKE STEPS, AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE COMPRENANT DES PALIERS INTÉRIEURS SIMILAIRES À DES TERRASSES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
(DE) HALBLEITERCHIP MIT INNEREN TERRASSENÄHNLICHEN STUFEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS
Реферат:
(EN) A semiconductor chip (10) comprising a semiconductor body (2), a current spreading layer (3) and a contact structure (4) is specified, wherein the semiconductor body comprises a first semiconductor layer (21), a second semiconductor layer (22) and an intervening active layer (23), and the current spreading layer is arranged in a vertical direction between the contact structure and the semiconductor body. The semiconductor body has a plurality of internal steps (24) configured in a terrace-like manner, wherein the contact structure comprises a plurality of conductor tracks (42) which are arranged with regard to the lateral orientations thereof in relation to the lateral orientations of the internal steps in such a way that current spreading along the internal steps is promoted vis-à-vis current spreading transversely with respect to the internal steps. Furthermore, a method for producing such a semiconductor chip is specified.
(FR) L'invention concerne une puce semi-conductrice (10) pourvue d'un corps semi-conducteur (2) d'une couche d'étalement de courant (3) et d'une structure de contact (4). Le corps semi-conducteur comprend une première couche semi-conductrice (21), une deuxième couche semi-conductrice (22) et une couche active (23) intercalée entre ces dernières. La couche d'étalement de courant est disposée dans une direction verticale entre la structure de contact et le corps semi-conducteur. Le corps semi-conducteur comporte une multitude de paliers (24) intérieurs qui sont réalisés de manière similaire à des terrasses. La structure de contact comprend une multitude de pistes conductrices (42) qui sont disposées, eu égard à leurs orientations latérales, par rapport aux orientations latérales des paliers intérieurs de telle manière qu'un étalement de courant est favorisé le long des paliers intérieurs par rapport à un étalement de courant de manière transversale par rapport aux paliers intérieurs. L’invention concerne par ailleurs un procédé de fabrication d'une puce semi-conductrice de ce type.
(DE) Es wird ein Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer Stromaufweitungsschicht (3) und einer Kontaktstruktur (4) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende aktive Schicht (23) umfasst und die Stromaufweitungsschicht in vertikaler Richtung zwischen der Kontaktstruktur und dem Halbleiterkörper angeordnet ist. Der Halbleiterkörper weist eine Mehrzahl von inneren Stufen (24) auf, die terrassenähnlich ausgebildet sind, wobei die Kontaktstruktur eine Mehrzahl von Leiterbahnen (42) umfasst, die hinsichtlich deren lateraler Orientierungen in Bezug zu den lateralen Orientierungen der inneren Stufen derart angeordnet sind, dass eine Stromaufweitung entlang der inneren Stufen gegenüber einer Stromaufweitung quer zu den inneren Stufen begünstigt ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Немецкий (DE)
Язык подачи: Немецкий (DE)