Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018223391) MICRO-LED ARRAY TRANSFER METHOD, MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2018/223391 № международной заявки: PCT/CN2017/087774
Дата публикации: 13.12.2018 Дата международной подачи: 09.06.2017
МПК:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 21/70 (2006.01) ,H01L 21/50 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
33
Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
50
сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп
Заявители:
GOERTEK. INC [CN/CN]; No. 268 Dongfang Road, Hi-Tech Industry District Weifang, Shandong 261031, CN
Изобретатели:
ZOU, Quanbo; CN
CHEN, Peixuan; CN
FENG, Xiangxu; CN
GAN, Tao; CN
ZHANG, Xiaoyang; CN
WANG, Zhe; CN
Агент:
BEYOND TALENT PATENT AGENT FIRM; Room 1202, Kuntai Building #10 Chaoyangmenwai Str., Chaoyang District, Beijing 100020, CN
Дата приоритета:
Название (EN) MICRO-LED ARRAY TRANSFER METHOD, MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE RÉSEAU DE MICRO-DEL, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Реферат:
(EN) A micro-LED transfer method, manufacturing method and display device are provided. The micro-LED transfer method comprises: bonding the micro-LED array (204) on a first substrate (201) onto a receiving substrate (202) through micro-bumps (206), wherein the first substrate (201) is laser transparent; applying underfill (208) into a gap between the first substrate (201) and the receiving substrate (202); irradiating laser (207) onto the micro-LED array (204) from a side of the first substrate (201) to lift-off the micro-LED array (204) from the first substrate (201); and removing the underfill (208). The bonding strength may be improved during a transfer of a micro-LED array (204).
(FR) L'invention concerne un procédé de transfert de micro-DEL, un procédé de fabrication et un dispositif d'affichage. Le procédé de transfert de micro-DEL consiste à : lier le réseau de micro-DEL (204) sur un premier substrat (201) sur un substrat de réception (202) à travers des micro-bosses (206), le premier substrat (201) étant transparent au laser; appliquer un sous-remplissage (208) dans un espace entre le premier substrat (201) et le substrat de réception (202); irradier un laser (207) sur le réseau de micro-DEL (204) à partir d'un côté du premier substrat (201) pour soulever le réseau de micro-DEL (204) à partir du premier substrat (201); et retirer le sous-remplissage (208). La force de liaison peut être améliorée pendant un transfert d'un réseau de micro-DEL (204).
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)
Также опубликовано как:
CN109496351