Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018189964) MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY ELEMENT, MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT AND MAGNETIC NEURO-ELEMENT
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2018/189964 № международной заявки: PCT/JP2017/046623
Дата публикации: 18.10.2018 Дата международной подачи: 26.12.2017
МПК:
H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
77
изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее
78
с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов
82
для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов
822
полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии
8232
технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах
8234
технология изготовления интегральных схем на MIS транзисторах
8239
структуры памяти
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
04
с подложкой из полупроводника
10
содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией
105
компоненты с полевым эффектом
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
82
управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
43
Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей
08
резисторы, управляемые магнитным полем
Заявители:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
Изобретатели:
佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki; JP
柴田 竜雄 SHIBATA Tatsuo; JP
Агент:
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
飯田 雅人 IIDA Masato; JP
荻野 彰広 OGINO Akihiro; JP
Дата приоритета:
2017-08041314.04.2017JP
Название (EN) MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY ELEMENT, MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT AND MAGNETIC NEURO-ELEMENT
(FR) PAROI DE DOMAINE MAGNÉTIQUE UTILISANT UN ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ANALOGIQUE, PAROI DE DOMAINE MAGNÉTIQUE UTILISANT UNE MÉMOIRE ANALOGIQUE, CIRCUIT LOGIQUE NON VOLATILE ET NEURO-ÉLÉMENT MAGNÉTIQUE
(JA) 磁壁利用型アナログメモリ素子、磁壁利用型アナログメモリ、不揮発性ロジック回路及び磁気ニューロ素子
Реферат:
(EN) The magnetic domain wall utilizing analog memory element according to one mode of the present invention comprises: a magnetized fixed layer (1) wherein the magnetization is oriented in a first direction; a non-magnetic layer (2) provided on one surface of the magnetized fixed layer (1); a magnetic domain wall drive layer (3) provided relative to the magnetized fixed layer (1) such that the non-magnetic layer (2) is held therebetween; a first magnetization supply means (4) supplying to the magnetic domain wall drive layer (3) magnetization oriented in the first direction; and a second magnetization supply means (5) supplying to the magnetic domain wall drive layer (3) magnetization oriented in a second direction opposite the first direction. At least one among the first magnetization supply means (4) and the second magnetization supply means (5) is in contact with the magnetic domain wall drive layer (3), and is a spin orbit torque wiring extending in a direction intersecting with the magnetic domain wall drive layer (3).
(FR) La paroi de domaine magnétique utilisant un élément de mémoire analogique selon un mode de la présente invention comprend : une couche fixe magnétisée (1) dans laquelle la magnétisation est orientée dans une première direction; une couche non magnétique (2) disposée sur une surface de la couche fixe magnétisée (1); une couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3) disposée par rapport à la couche fixe magnétisée (1) de telle sorte que la couche non magnétique (2) est maintenue entre celles-ci; un premier moyen d'alimentation en magnétisation (4) fournissant à la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3) une magnétisation orientée dans la première direction; et un second moyen d'alimentation en magnétisation (5) fournissant à la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3) une magnétisation orientée dans une seconde direction opposée à la première direction. Au moins l'un parmi le premier moyen d'alimentation en magnétisation (4) et le second moyen d'alimentation en magnétisation (5) est en contact avec la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3), et est un câblage de couple spin-orbite s'étendant dans une direction croisant la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3).
(JA) 本発明の一態様にかかる磁壁利用型アナログメモリ素子は、第1の方向に磁化が配向した磁化固定層(1)と、磁化固定層(1)の一面に設けられた非磁性層(2)と、磁化固定層(1)に対して非磁性層(2)を挟んで設けられた磁壁駆動層(3)と、磁壁駆動層(3)に第1の方向に配向した磁化を供給する第1磁化供給手段(4)及び第1の方向と反対の第2の方向に配向した磁化を供給する第2磁化供給手段(5)と、を備え、第1磁化供給手段(4)及び第2磁化供給手段(5)のうち少なくとも一方は、磁壁駆動層(3)に接し、磁壁駆動層(3)に対して交差する方向に延在するスピン軌道トルク配線である。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)
Также опубликовано как:
CN109643690US20190189516