Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018186248) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2018/186248 № международной заявки: PCT/JP2018/012640
Дата публикации: 11.10.2018 Дата международной подачи: 28.03.2018
МПК:
C30B 29/06 (2006.01) ,C23C 16/02 (2006.01) ,C23C 16/24 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
30
Выращивание кристаллов
B
Выращивание монокристаллов ; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой ; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; устройства для вышеуказанных целей
29
Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
02
элементы
06
кремний
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
16
Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП)
02
предварительная обработка покрываемого материала
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
16
Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП)
22
характеризуемые осаждением неорганического материала иного, чем металлический
24
осаждение только кремния
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
30
Выращивание кристаллов
B
Выращивание монокристаллов ; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой ; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; устройства для вышеуказанных целей
25
Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
02
выращивание эпитаксиальных слоев
18
характеризуемое подложкой
20
с подложкой из того же материала, что эпитаксиальный слой
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
20
нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
20
нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
205
разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением
Заявители:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
Изобретатели:
野中 直哉 NONAKA Naoya; JP
川島 正 KAWASHIMA Tadashi; JP
溝上 憲一 MIZOGAMI Kenichi; JP
Агент:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
Дата приоритета:
2017-07603406.04.2017JP
Название (EN) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE, ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ
Реферат:
(EN) Provided is a method for manufacturing an epitaxial silicon wafer using a silicon wafer that contains phosphorous and that has a resistivity of less than 1.0 mΩ∙cm, the method comprising: an argon annealing step (S2) in which a silicon wafer is heat treated for 30 minutes or more at a temperature of 1200-1220°C in an argon gas atmosphere, the silicon wafer having a main surface which is a surface where a (100) surface is inclined, and a [100] axis that is perpendicular to the (100) surface being inclined by 0°5'-0°25' relative to an axis that intersects the main surface at a right angle; a pre-baking step (S3) in which the surface of the silicon wafer is etched; and an epitaxial film growing step (S4) in which an epitaxial film is grown on the surface of the silicon wafer at a growth temperature of 1100-1165°C.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche de silicium épitaxiale à l'aide d'une tranche de silicium qui contient du phosphore et qui a une résistivité inférieure à 1,0 mΩ∙cm, le procédé comprenant : une étape de recuit à l'argon (S2) dans laquelle une tranche de silicium est traitée thermiquement pendant 30 minutes ou plus à une température de 1 200 à 1 220 °C dans une atmosphère d'argon gazeux, la tranche de silicium ayant une surface principale qui est une surface où une surface (100) est inclinée, et un axe [100] qui est perpendiculaire à la surface (100) est incliné de 0°5' à 0°25' par rapport à un axe qui coupe la surface principale à angle droit ; une étape de pré-cuisson (S3) dans laquelle la surface de la tranche de silicium est gravée ; et une étape de croissance de film épitaxial (S4) dans laquelle un film épitaxial est amené à croître sur la surface de la tranche de silicium à une température de croissance de 1 100 à 1 165° C.
(JA) リンを含み抵抗率が1.0mΩ・cm未満のシリコンウェーハを用いたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、(100)面が傾斜した面を主表面とし、(100)面に垂直な[100]軸が主表面に直交する軸に対して0°5'以上0°25'以下だけ傾斜したシリコンウェーハに対し、アルゴンガス雰囲気下において1200℃以上1220℃以下の温度で30分以上の熱処理を行うアルゴンアニール工程(S2)と、シリコンウェーハの表面をエッチングするプリベーク工程(S3)と、シリコンウェーハの表面に1100℃以上1165℃以下の成長温度でエピタキシャル膜を成長させるエピタキシャル膜成長工程(S4)とを備えている。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)