Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018180881) BONDING APPARATUS AND BONDING METHOD
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2018/180881 № международной заявки: PCT/JP2018/011382
Дата публикации: 04.10.2018 Дата международной подачи: 22.03.2018
МПК:
H01L 21/60 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
50
сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп
60
присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора
Заявители:
株式会社新川 SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 東京都武蔵村山市伊奈平2丁目51番地の1 51-1, Inadaira 2-chome, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585, JP
Изобретатели:
渡辺 治 WATANABE Osamu; JP
萩原 美仁 HAGIWARA Yoshihito; JP
中村 智宣 NAKAMURA Tomonori; JP
Агент:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
小松 秀輝 KOMATSU Hideki; JP
Дата приоритета:
2017-06759730.03.2017JP
Название (EN) BONDING APPARATUS AND BONDING METHOD
(FR) APPAREIL DE LIAISON ET PROCÉDÉ DE LIAISON
(JA) ボンディング装置及びボンディング方法
Реферат:
(EN) A bonding apparatus 1 which bonds a semiconductor die 102 to a substrate 101 by thermocompression, with an adhesive material 103 being interposed therebetween. This bonding apparatus 1 is provided with: a bonding tool 12 which has a bonding surface 24 that holds the semiconductor die 102, with a first portion R1 of a tape 200 being interposed therebetween, and a pair of first tape constraining surfaces 26A, 26B that are arranged so as to sandwich the bonding surface 24 and constrain a second portion R2 of the tape 200; tape constraining mechanisms 21A, 21B which have a second tape constraining surface 37 that presses the tape 200 against the first tape constraining surfaces 26A, 26B; and a control unit 8 which controls the movements of the bonding tool 12 and the tape constraining mechanisms 21A, 21B.
(FR) L'invention concerne un appareil de liaison 1 qui lie une puce semiconductrice 102 à un substrat 101 par thermocompression, avec un matériau adhésif 103 étant interposé entre ceux-ci. Cet appareil de liaison 1 comprend : un outil de liaison 12 qui a une surface de liaison 24 qui maintient la puce semiconductrice 102, une première partie R1 d'une bande 200 étant interposée entre celles-ci, et une paire de premières surfaces de contrainte de bande 26A, 26B qui sont agencées de façon à prendre en sandwich la surface de liaison 24 et contraignant une seconde partie R2 de la bande 200; des mécanismes de contrainte de bande 21A, 21B qui ont une seconde surface de contrainte de bande 37 qui presse la bande 200 contre les premières surfaces de contrainte de bande 26A, 26B; et une unité de commande 8 qui commande les mouvements de l'outil de liaison 12 et des mécanismes de contrainte de bande 21A, 21B.
(JA) 半導体ダイ102を基板101に接着材料103を介して熱圧着するボンディング装置1である。ボンディング装置1は、テープ200の第1部分R1を介して半導体ダイ102を保持するボンディング面24と、ボンディング面24挟むように配置され、テープ200の第2部分R2を拘束する一対の第1テープ拘束面26A,26Bと、を有するボンディングツール12と、テープ200を第1テープ拘束面26A,26Bに押圧する第2テープ拘束面37を有するテープ拘束機構21A,21Bと、ボンディングツール12及びテープ拘束機構21A,21Bの動作を制御する制御部8と、を備える。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)