Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018180842) TFT SUBSTRATE, TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD, AND DISPLAY DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2018/180842 № международной заявки: PCT/JP2018/011294
Дата публикации: 04.10.2018 Дата международной подачи: 22.03.2018
МПК:
G09F 9/30 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01)
G ФИЗИКА
09
Средства обучения; тайнопись; дисплеи; рекламное и выставочное дело; печати и опечатывание
F
Наглядное представление; реклама; вывески; ярлыки или пластинки с заводской маркой; печати
9
Устройства для представления меняющегося информационного материала, в которых информационный материал составляется на подложке путем выборки или комбинации отдельных элементов
30
в которых нужный символ или символы получаются комбинацией отдельных элементов
G ФИЗИКА
02
Оптика
F
Приборы или устройства для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, оптические функции которых изменяются при изменении оптических свойств среды в этих приборах или устройствах например для переключения, стробирования, модуляции или демодуляции; оборудование или технологические процессы для этих целей; преобразование частоты; нелинейная оптика; оптические логические элементы; оптические аналого-цифровые преобразователи
1
Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика
01
для регулирования интенсивности, фазы, поляризации или цвета
13
основанные на жидких кристаллах, например элементы индикации на жидких монокристаллах
133
конструктивные элементы; обеспечение работы элементов на жидких кристаллах; схемные устройства
1333
конструктивные элементы
1343
электроды
G ФИЗИКА
02
Оптика
F
Приборы или устройства для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, оптические функции которых изменяются при изменении оптических свойств среды в этих приборах или устройствах например для переключения, стробирования, модуляции или демодуляции; оборудование или технологические процессы для этих целей; преобразование частоты; нелинейная оптика; оптические логические элементы; оптические аналого-цифровые преобразователи
1
Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика
01
для регулирования интенсивности, фазы, поляризации или цвета
13
основанные на жидких кристаллах, например элементы индикации на жидких монокристаллах
133
конструктивные элементы; обеспечение работы элементов на жидких кристаллах; схемные устройства
136
элементы на жидких кристаллах, конструктивно связанные с полупроводниковым слоем или подложкой, например элементы, образующие часть интегральной схемы
1362
активная матрица с адресными ячейками
1368
в которых переключающий элемент является трехэлектродным прибором
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
28
содержащие компоненты с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части
32
с компонентами, специально предназначенными для излучения световых колебаний, например дисплеи с плоским экраном с использованием органических светоизлучающих диодов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
786
тонкопленочные транзисторы
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
51
Приборы на твердом теле с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства, специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей
50
специально предназначенные для светового излучения, например органические светоизлучающие диоды (OLED) или полимерные светоизлучающие устройства (PLED)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
05
Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
B
Электрический нагрев; устройства электрического освещения, не отнесенные к другим классам
33
Электролюминесцентные источники света
02
конструктивные элементы
Заявители:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Изобретатели:
岡部 達 OKABE, Tohru; --
錦 博彦 NISHIKI, Hirohiko; --
家根田 剛士 YANEDA, Takeshi; --
Агент:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Дата приоритета:
2017-06535529.03.2017JP
Название (EN) TFT SUBSTRATE, TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT TFT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) TFT基板、TFT基板の製造方法、表示装置
Реферат:
(EN) The present invention achieves stable connection, in a TFT substrate including a semiconductor film in each of a lower layer part and an upper layer part thereof, between a conductor in the lower layer part and a conductor in the upper layer part. The substrate is provided thereon with: a first semiconductor film (6) that functions as a channel for TFT; a first conductor (M1) that is disposed in a layer above the first semiconductor film; an interlayer insulating film (18) that is disposed in a layer above the first conductor; a second semiconductor film (26) that is disposed in a layer above the interlayer insulating film; a second conductor (J2) that is disposed in a layer above the second semiconductor film; an organic insulating film (32) that is disposed in a layer above the second conductor; a third conductor (M3) that is disposed in a layer above the organic insulating film; and a contact hole (CH) that extends through a through-hole (H32) in the organic insulating film and a through-hole (H18) in the interlayer insulating film and reaches the first conductor, wherein the second conductor (J2) and the third conductor (M3) are formed so as to overlap the opening plane (K) of the contact hole, and the third conductor (M3) is in contact with the first conductor (M1) and the second conductor (J2).
(FR) La présente invention réalise une connexion stable, dans un substrat TFT comprenant un film semi-conducteur dans une partie de couche inférieure et une partie de couche supérieure de ce dernier, entre un conducteur dans la partie de couche inférieure et un conducteur dans la partie de couche supérieure. Le substrat est pourvu : d'un premier film semi-conducteur (6) qui fonctionne comme un canal pour TFT ; d'un premier conducteur (M1) qui est disposé dans une couche au-dessus du premier film semi-conducteur ; un film isolant intercouche (18) qui est disposé dans une couche au-dessus du premier conducteur ; un second film semi-conducteur (26) qui est disposé dans une couche au-dessus du film isolant intercouche ; un second conducteur (J2) qui est disposé dans une couche au-dessus du second film semi-conducteur ; un film isolant organique (32) qui est disposé dans une couche au-dessus du second conducteur ; un troisième conducteur (M3) qui est disposé dans une couche au-dessus du film isolant organique ; et un trou de contact (CH) qui s'étend à travers un trou traversant (H32) dans le film isolant organique et un trou traversant (H18) dans le film isolant intercouche et qui atteint le premier conducteur, le second conducteur (J2) et le troisième conducteur (M3) étant formés de manière à chevaucher le plan d'ouverture (K) du trou de contact, et le troisième conducteur (M3) est en contact avec le premier conducteur (M1) et le second conducteur (J2).
(JA) 下層部および上層部それぞれに半導体膜を含むTFT基板において、下層部の導電体と上層部の導電体との安定的な接続を図る。基板上に、TFTのチャネルとして機能する第1半導体膜(6)と、第1半導体膜よりも上層の第1導電体(M1)と、第1導電体よりも上層の層間絶縁膜(18)と、層間絶縁膜よりも上層の第2半導体膜(26)と、第2半導体膜よりも上層の第2導電体(J2)と、第2導電体よりも上層の有機絶縁膜(32)と、有機絶縁膜よりも上層の第3導電体(M3)と、有機絶縁膜のスルーホール(H32)および層間絶縁膜のスルーホール(H18)を通って第1導電体に到るコンタクトホール(CH)とを備え、第2導電体(J2)および第3導電体(M3)がコンタクトホールの開口面(K)と重なるように形成され、第3導電体(M3)が第1導電体(M1)および第2導電体(J2)と接触する。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)