Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018163944) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2018/163944 № международной заявки: PCT/JP2018/007668
Дата публикации: 13.09.2018 Дата международной подачи: 01.03.2018
МПК:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
786
тонкопленочные транзисторы
G ФИЗИКА
02
Оптика
F
Приборы или устройства для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, оптические функции которых изменяются при изменении оптических свойств среды в этих приборах или устройствах например для переключения, стробирования, модуляции или демодуляции; оборудование или технологические процессы для этих целей; преобразование частоты; нелинейная оптика; оптические логические элементы; оптические аналого-цифровые преобразователи
1
Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика
01
для регулирования интенсивности, фазы, поляризации или цвета
13
основанные на жидких кристаллах, например элементы индикации на жидких монокристаллах
133
конструктивные элементы; обеспечение работы элементов на жидких кристаллах; схемные устройства
1333
конструктивные элементы
1343
электроды
G ФИЗИКА
02
Оптика
F
Приборы или устройства для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, оптические функции которых изменяются при изменении оптических свойств среды в этих приборах или устройствах например для переключения, стробирования, модуляции или демодуляции; оборудование или технологические процессы для этих целей; преобразование частоты; нелинейная оптика; оптические логические элементы; оптические аналого-цифровые преобразователи
1
Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика
01
для регулирования интенсивности, фазы, поляризации или цвета
13
основанные на жидких кристаллах, например элементы индикации на жидких монокристаллах
133
конструктивные элементы; обеспечение работы элементов на жидких кристаллах; схемные устройства
136
элементы на жидких кристаллах, конструктивно связанные с полупроводниковым слоем или подложкой, например элементы, образующие часть интегральной схемы
1362
активная матрица с адресными ячейками
1368
в которых переключающий элемент является трехэлектродным прибором
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
334
многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов
335
полевых транзисторов
336
с изолированным затвором
Заявители:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Изобретатели:
古川 博章 FURUKAWA, Hiroaki; --
Агент:
特許業務法人 安富国際特許事務所 YASUTOMI & ASSOCIATES; 大阪府大阪市淀川区宮原3丁目5番36号 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003, JP
Дата приоритета:
2017-04406308.03.2017JP
Название (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、液晶表示装置
Реферат:
(EN) The present invention provides a semiconductor device capable of ensuring a high level of reliability while realizing higher definition. This semiconductor device comprises a substrate and a thin-film transistor supported by the substrate, wherein the thin-film transistor is provided with: a first conductive section formed on the substrate; a first insulating layer; an oxide semiconductor layer; a second conductive section which contacts a source contact region of the oxide semiconductor layer; a second insulating layer provided with a contact hole for exposing a drain contact region of the oxide semiconductor layer; and a transparent electrode contacting the drain contact region at the contact hole; and when viewed from the normal direction of the substrate, an outer edge of the drain contact region overlaps a portion of an outer edge of the first conductive section, or is arranged further to the inside than the outer edge of the first conductive section.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur capable d'assurer un niveau élevé de fiabilité tout en réalisant une définition plus élevée. Ce dispositif à semiconducteur comprend un substrat et un transistor à couches minces supporté par le substrat, le transistor à couches minces comprenant : une première section conductrice formée sur le substrat; une première couche d'isolation; une couche semiconductrice d'oxyde; une seconde section conductrice qui entre en contact avec une région de contact de source de la couche semiconductrice d'oxyde; une seconde couche d'isolation comprend un trou de contact pour exposer une région de contact de drain de la couche semiconductrice d'oxyde; et une électrode transparente en contact avec la région de contact de drain au niveau du trou de contact; et lorsqu'elle est vue depuis la direction normale du substrat, un bord externe de la région de contact de drain chevauche une partie d'un bord externe de la première section conductrice, ou est disposé davantage vers l'intérieur que le bord externe de la première section conductrice.
(JA) 本発明は、高精細化を実現しつつ、高い信頼性を確保できる半導体装置を提供する。 本発明の半導体装置は、基板と、上記基板に支持された薄膜トランジスタとを備える半導体装置であって、上記薄膜トランジスタは、上記基板上に形成された第一導電部と、第一絶縁層と、酸化物半導体層と、上記酸化物半導体層のソースコンタクト領域と接する第二導電部と、上記酸化物半導体層のドレインコンタクト領域を露出するコンタクトホールが設けられた第二絶縁層と、上記コンタクトホールにおいて上記ドレインコンタクト領域と接する透明電極とを備え、上記基板の法線方向から見たとき、上記ドレインコンタクト領域の外縁は、上記第一導電部の外縁の一部と重なるか、又は、上記第一導電部の外縁よりも内側に配置されるものである。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)